Методика расчета микрополосковой линии передачи, страница 2

( м  (частота в ГГц))

Поверхностные сопротивления проводника и экрана соответственно равны:

( МГц )

( мм )    толщина скин - слоя на рабочей частоте в меди

( ом )    поверхностное сопротивление медной пленнки                      ( полоска )

( мм )    толщина скин - слоя на рабочей частоте в                               алюминии

(ом) - поверхностное сопротивление алюминевой пленки ( экран )

Вспомогательная переменная

Пусть

,тогда

( дБ/м ) - потери в полоске

( дБ/м ) - потери в экране

( дБ/м ) - потери в диэлектрике

( дБ/м ) - потери на излучение

( h в ( м ) )

( дБ/м ) - суммарный коэффициентпотерь

10. Электирический пробой определяется пиковой мощностью:

( В/мм )

( B ) - напряхение пробоя подложки

( Bт )

11.Средняя передаваемая по МПЛ мощность определяется температурой нагрева полоски и поддерживающей подложки:

Tmax - максимальная температура нагрева полоски ,*С

Ta - температура окружающей среды , *C

DT - перегрев, обусловленный потерями в металле и диэлектрике при передаче по МПЛ одного ватта мощьности, *С/Вт

( *C/Вт )

( *C )

( *C )

( Вт )

Средня передаваемая по МПЛ мощность

Зависимость передаваемой мощности от частоты

( ГГц )

ГГц

12.Определение характеристического сопротивления

( ом ) - характеристическое сопротивление

13.Для ТЕМ-волны фазовая, групповая скорости  и скорость переноса энергии совпадают и равны:

( м/c ) - фазовая скорость

( м/c ) - скорость переноса энергии

( м/c ) - групповая скорость

14.У ТЕМ-волны критическая частота равна нулю, а критическая длина волны-бесконечности:

( 1/м ) - волновое число

( 1/м ) - постоянная распространения