а) совпадает с направлением магнитного поля;
б) противоположно направлением магнитного поля.
105.Единица измерения магнитного напряжения и магнитной силы:
а) вольт;
б) ампер.
106.Интенсивность магнитного поля в любой точке, расположенной вне проводника с током:
а) прямо пропорциональна расстоянию от центра проводника до этой точки;
б) обратно пропорциональна расстоянию от центра проводника до этой точки.
107. Интенсивность магнитного поля в любой точке, расположенной внутри проводника с током:
а) прямо пропорциональна расстоянию от центра проводника до этой точки;
б) обратно пропорциональна расстоянию от центра проводника до этой точки.
108.Сила взаимодействия тока с магнитным полем называется:
а) электродвижущей силой;
б) электромагнитной силой.
109. Электромагнитная сила, т.е. сила взаимодействия тока I, проходящего по проводнику длинно l перпендикулярно магнитному полю с индукцией В:
а) прямо пропорциональна произведению этих величин;
б) обратно пропорциональна произведению этих величин.
110. Направление силы взаимодействия двух проводников с током можно определить по правилу:
а) правой руки;
б) левой руки.
111. Микропроцессор – это информационное устройство, которое реализует операции:
а) арифметические и логическое;
б) ввода и вывода.
112.Буферные регистры предназначены для:
а) кратковременного хранения чисел во время выполнения операций;
б) для передачи цифровой информации с АЛУ на УУ.
113.Входная информация в микропроцессоре представляет собой:
а) данные, над которыми выполняются операции;
б) программу, т.е. последовательность команд, описывающих выполнение операции .
114.Для измерения расхода электрической энергии применяются счетчики:
а) индукционной системы;
б) электронные.
115.Нормальная работа электросчетчика предполагает воздействие на свободно вращающийся диск:
а) вращающего момента;
б) тормозного момента.
116.Момент трения в индукционном счетчике компенсируется:
а) короткозамкнутым витком медной проволоки;
б) подвижной ферромагнитной пластины.
117.Пограничный силой полупроводника с избытком основных носителей называется:
а) обедненным слоем;
б) обогащенным слоем.
118.Выпрямительные диоды предназначены для преобразования:
а) переменного тока в носителях;
б) постоянного тока в переменный.
119.Стабилитрон предназначен для стабилизации:
а) тока; б) напряжения.
120.Полупроводниковые резисторы, сопротивление которых значительно зависит от температуры внешней среды, называется:
а) теплорезисторами;
б) терморезисторами.
III уровень.
121-125.
Точечный заряд величиной Q помещен в центре плоского воздушного конденсатора, расстояние между пластинами которого равно l см. Напряжение между пластинами U B. Определить напряженность электрического поля в точках А и В, находящихся на расстоянии 0.5 см справа и слева от заряда Q и лежащих на электрической линии, проходящей через заряд Q (рис. 1.9)
вариант |
Q,K |
l, см. |
U,B |
121 |
4 |
200 |
|
122 |
6 |
280 |
|
123 |
8 |
280 |
|
124 |
6 |
240 |
|
125 |
4 |
250 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.