Транзисторные ключи, страница 2

Исследование ключа на биполярном транзисторе

Исследование динамических параметров ключа

Рисунок 3.1 – Схема для исследования ключа на биполярном транзисторе.

Рисунок 3.2 – форма входного и выходного сигналов ключа на биполярном транзисторе.

Параметры ключа:

tзат = 5,20 nS

tф = 8,19 nS

tроз = 606,96 nS

tсп = 221,13 nS

Исследование передаточной характеристики ключа

Таблица 3.3 Передаточная характеристика ключа при 0<U_ВХ<U_ЖИВ

U_ВХ, В	0,07	1	2	3	4	4,84
U_ВЫХ, В	5,1716	1,6860	0,03236	0,02292	0,01924	0,01785

Рисунок 3.3 – Передаточная характеристика ключа при 0<U_ВХ<U_ЖИВ

U⁰_ВХ=4,84

U¹_ВХ=0,07

Исследование ключа на биполярном транзисторе с диодом Шотки

Рисунок 3.4 – Схема для исследования ключа на биполярном транзисторе с диодом Шотки.

Рисунок 3.5 – форма входного и выходного сигналов ключа на биполярном транзисторе с диодом Шотки

1 2 3 4