3. статич. анализ и оптимизация
Под структ. синтезом понимают получен. конфигураций задан. сх., которая удовлетвор. ТЗ
4. Топологическое проектирование. Топология – аналог. эл. схемы в виде набора геометрич. образов слоёв кристалла
8 Аппарат логического моделирования
логич. проектир. – составлен. функцион. схем БИС. Компоненты – элементарные блоки микросхем образцом базисн. проекта: анализ лог. функций, временных соотнош., налич. критических путей, оценка рисков сбоя.
Аппарат логического моделирования: - работает с представлениями логических элементов, с межсоединениями этих элементов, с наборами логических выражений, с описаниями времен. хар-к этих элементов.
С помощью апп-та решаются задачи: 1. Проверяется логическая структура БИС
2. Сравниваются хар-ки различных схем. решений.
3. провер-ся правильн. и полнота процедур листового контроля
4. детальная информация о функц-ии схемы с учётом временных хар-к эл-ов лог. базиса и межканальных соединений
Выходной язык – описание эл-ов цифровой логики и их связей
Объекты языка: - осн. типы лог. элем-ов, функцион. описан. каждого эл-та выраженного явным или неявным образом., связи м\у этими эл-ми.
9 Схемотехническое проектирование
Задачи: 1.Структур синтез сх. эл. принципиальн.
2. анализ сх. и расчёт статич. состоян.
3. статич. анализ и оптимизация
Под структ. синтезом понимают получен. конфигураций задан. сх., которая удовлетвор. ТЗ
Классификация методов структурного синтеза:
1. Классич. – желаемые хар-ки аппроксимируют с заданными функциями, а затем реализ-ся с пом-ю элем-ов из заданного набора
2. М. перебора вариантов из задан. набора
3. М. прямого неотрицательного синтеза в заданном базисе ЛЭ
4. М. локальной модификации известной схемы
5. М. компиляции – преобраз. опис. сх. на языке высок. ур-ня в эл. сх.
6. М. экспертных оценок
7. Наиболее распространём м. граничных испытаний:
Статич. анал. вкл.: статич. обраб. рез-ов измерен, статич. анализ схем, статич. оптимиз. по параметр., статич. анализ тестовым нормам.
10 Топологическое проектирование
Топология – аналог. эл. схемы в вид. с набора геом. образов слоёв кристалла
11 Методика инженерного решения размещения компонентов БИС
1) Принцип : Эл. схема перечерчивается таким образом , чтобы ее выводы располаг. в желаемой послед. и все компоненты соед. с мин. числом пересечений
2) Определение числа необход. изолиров. областей исходя из анализа распредел. потенциалов коллекторных областей биполярных транзисторов
3) Все резисторы имеющие питание должны подключаться к наиболее полож. потенциалу схемы
4) Чтобы учесть диффузию примеси под маскирующий оксид рекомендуется размещать компоненты схемы на расст. равном удвоенной толщине изолирующего слоя.
5) Межкомпонентные соед. м.б. выполнены металлизацией поверх диффузных сопротивлений
6) Для уменьшения паразитных емкостей подложку необход. соед. с наиболее отрицательным потенциалом питания
7) Для улучшения развязки м/у коллекторными изолированными областями контакт подложки необходимо делать рядом с мощным выходным транзистором
12 Правила проектирования Мида-Конвей
При проектировании ИС задаются не абсолютные а задаются размеры кратные определенному числу λ.
λ= макс. значению случайного смещению границы тополог. элемента, который может возникать при его формировании на пластине.
1) Правило мин. ширины проводников: проводники в поликремниевом и диффузном слоях должны иметь ширину не менее 2λ , метал. проводников 3λ
2) Правило мин. расстояния м/у проводниками: промежуток м/у поликремниевым 2λ, м/у металлич. и диффузн. 3λ. Проводники не относ. к тр-м 1λ. Метал. проводники не следует разделять с др.
3) Правило формирования транзисторов: если поликремниевые и диффузные проводники использ. для формирования тр-ов, то поликремний должен распространяться за пределы диффузного проводн. на 2λ
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.