Полевые транзисторы
Цель работы: исследование управляющих характеристик полевого транзистора с p‑n‑затвором и каналом n‑типа ; исследование выходных характеристикполевого транзистора , с р-n затвором и каналом n-типа , включенного по схеме с общим истоком
Ucи=4 В
|
Uзи,В |
0 |
0,4 |
0,7 |
1 |
|
Iс,мА |
2,3 |
1,3 |
0,6 |
0,1 |
Ucи=9,6 В
|
Uзи,В |
0 |
0,5 |
0,7 |
1 |
|
Iс,мА |
2,6 |
1,1 |
0,6 |
0,1 |
Uзи=0 В
|
Uси,В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
|
Ic,mA |
0 |
0,7 |
1,4 |
1,9 |
2,3 |
2,4 |
2,5 |
2,5 |
2,6 |
2,6 |
Uзи=1 В
|
Uси, В |
1 |
2 |
3 |
10 |
|
Ic,mA |
0.1 |
0.1 |
0.1 |
0.2 |
Uзи=0,5 В
|
Uси,В |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
Ic,mA |
0,6 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1 |
1 |
1,1 |
Расчет параметров полевого транзистора с p-n затвором и каналом n-типа.
Крутизна характеристики:
Внутренее сопративление (выходное):
Коэффициент усиления:
Вывод: в данной
лабороторной работе исследовали выходные и упровляющие характеристики полевых
транзисторов , выяснили что при увеличении напряжения на затворе уменьшает
входной ток 
полевого транзистора.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.