Другие предметы \ Физические основы электроники

Зонная диаграмма полупроводника n-типа и p-типа. Изменение избыточной концентрации носителей заряда во времени и в пространстве

Страницы работы

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.

Содержание работы

Рис. 1.5. Зонная диаграмма полупроводника n-типа (слева)

Рис. 1.6. Зонная диаграмма полупроводника p-типа (справа)

Концентрация основных носителей для примесного полупроводника n-типа (аналогично и для p-типа) определяется как

n_np_n = n_ip_i = n_i² = p_i² (12)

Удельная проводимость примесных полупроводников (если пренебречь проводимостью в них за счет неосновных носителей) для полупроводников n-типа и р-типа равна

s_n = n_ne m_n и s_p = n_pe m_p (13)

где n_n и n_p, соответственно, концентрация основных носителей для полупроводников n-типа и р-типа.

Плотность диффузионного тока (i_диф) определяется следующими формулами:

J_n_диф = eD_nDn/Dx и J_p_диф = - eD_pDp/Dx (14)

где величины: Dn/Dx и Dp/Dx - являются так называемыми градиентами концентрации, a D_n и D_p — коэффициентами диффузии.

Рис. 1.7. Изменение избыточной концентрации носителей заряда (а) во времени и (б) в пространстве

Информация о работе

ВУЗ:

Белорусский государственный университет транспорта (БелГУТ)

Предмет:

Физические основы электроники

Тип:

Практика

Категория:

Другие предметы (Технические предметы)

Размер файла:

109 Kb

Скачали:

Скачать файл