Снятие и анализ характеристик полевого транзистора

транзистора, имеют два участка: крутой и пологий; последний используется при работе транзистора в усилительных устройствах, в то время как начальный  крутой участок характеристик — при их работе в переключательных устройствах.

Предельные частоты, на которых могут работать полевые транзисторы, весьма высоки. Основным ограничительным фактором здесь является емкость р-п перехода, площадь которого сравнительно велика. Выпускаемые промышленностью полевые транзисторы с р-п переходом способны работать в мегагерцевом диапазоне частот.

Экспериментальная часть

Требования по безопасности труда

1.Не включать лабораторный стенд без проверки преподавателем схемы соединений.

2.При переключении измерительных приборов в ходе работы выключать тумблер СЕТЬ.

Порядок выполнения работы

1.Отключить все приборы стенда переводом тумблеров (ГПИ, ГНЧ, ГВЧ, АВО, МВ, ЧМ, СЕТЬ на блоке питания) в нижнее положение.

2.Для снятия выходной статической характеристики полевого транзистора в соответствии со схемой (рис.3) электрической принципиальной произвести монтаж электросхемы:

подключить АВМ1 к Р1, переключатель пределов АВМ1 установить в положение 1В;

использовать ИВ в качестве Р3, переключатель рода работы ИВ установить в положение –25В, ГН2;

подключить АВМ2 к Р2, переключатель пределов АВМ2 установить в положение 5мА;

подключить G1 к ГН1 на блоке питания;

подключить G2 к ГН2 на блоке питания;

вставить в  соответствующие гнёзда съёмный элемент – полевой транзистор КП103.

Включить тумблер в СЕТЬ.

2. Снять выходную статическую характеристику полевого транзистора

I_С=f(U_СИ)    приU_ЗИ=const.

U_ЗИустанавливать регулятором ГН1 в соответствии со значениями табл.1.

                                                              Р2

 

G2

                VT1                                                                            - 

   +                                                                    Р3                         

G1

  

                                                                                                   +

   _                   Р1                                                                             

  

рис.3

Напряжение U_СИ изменять регулятором ГН2 по значениям табл.1.

Результат измерения I_С занести в табл.1.

         Таблица1.

3. Снять переходную характеристику полевого транзистора

I_c=f(U_зи)  при  U_си=const.

Напряжение U_си устанавливать регулятором ГН2 в соответствии со значениями табл.2.

Напряжение U_зи изменять регулятором ГН1 в соответствии со значениями табл.2. Результат измерения тока I_c занести в табл.2.

                      Таблица 2.

Обработка результатов измерений

1.  Построить выходную характеристику полевого транзистора по данным таблицы 1                          I_С=f(U_СИ)   при  U_ЗИ=const.

2.  На построенной характеристике (рис.4.) выбрать точку А в соответствии с вариантом табл.3 и определить

S=DI_С / DU_ЗИ=A¢A / (0.5-0.3)е S – крутизна характеристики, мА/В.

        Таблица 3

                                       I_c/мА                   I_c/мА

V_зи= 0В

                                                                                                    V_си= -14В

V_зи= 0.3В

                              А’                   DI_c                           С             V_си= -10В

V_зи= 0.5В С                                               DI_c  

             В                                      DI_c                                                                              V_си= -5В

V_зи=0.7В                 А                                             B              A

                                                                                                                                       V_зи/В  

V_си/В            DV_си                                                                          DV_зи                           V_зи.отс

                                      Рис.4             Рис.5

3.  Определить для указанной выше точки по характеристическому DАВС

R_ВЫХ = DU_СИ/DI¢_С=AB/BC ,

где R_ВЫХ– выходное сопротивление, кОм.

4. Построить линию предельной мощности  Рс на выходных характеристиках.

5. По данным табл.2. построить переходную характеристику

I_С=f(U_ЗИ)     при U_СИ=const.

6. На построенной характеристике (рис.5) выбрать точку А в соответствии с вариантом табл.4 и определить

S=DI_С / DU_ЗИ=BC/AB ,

где S- крутизна характеристики, мА/В.

 7.Вычислить статический коэффициент усилителя  m

m=SR_ВЫХ

      Таблица 4

Контрольные вопросы

Вопросы для предварительного опроса:

1.  Нарисовать электрическую схему для снятия характеристик полевого транзистора.

2.  Нарисовать выходную статистическую характеристику полевого транзистора.

3.  Нарисовать переходную характеристику полевого транзистора.

4.  Нарисовать графическое обозначение полевого транзистора с p и n каналами.

5.  Маркировка полевых транзисторов.

Вопросы при защите работы:

1.  Объясните устройство и принцип действия полевого канального транзистора.

2.  Схемы включения полевого транзистора.

3.  Основные характеристики полевого транзистора.

4.  Режимы работы полевого транзистора

5.  Основные параметры полевого транзистора и их определение.

6.  Какое напряжение для полевого транзистора называется напряжением отсечки?

7.  Области применения полевого  канального транзистора.

8.  Достоинства и недостатки полевого транзистора.

9.  Что такое МДП-транзисторы?

10. Устройство, принцип действия, обозначение в схеме МДП  со встроенным