Из-за сложности аналитического представления токов и напряжений в реальных схемах с диодами на практике часто используется графоаналитический метод решения задач.
Пример: определить падение напряжения на открытом диоде VD, ток I, rДИФ в схеме, представленной на рис. 9.3.2, б. Известна ВАХ диода (рис.8.2, в), UП = 2 В, R = 1 кОм.
Рис. 8.3.2 Обозначение диода (а), схема включения диода (б), иллюстрация
графического метода определения тока через диод и напряжения на нем (в)
При решении используется 2-ой закон Кирхгофа для цепи (рис. 8.3.2, б):
(8.3.2)
Это уравнение прямой линии (нагрузочная прямая), которая строится по двум точкам ее пересечения с осями координат. Напряжение холостого хода UХХ – это точка пересечения оси абсцисс и нагрузочной прямой: UХХ = UП = 2 В. Ток короткого замыкания IКЗ – точка пересечения прямой с осью ординат: IКЗ = UП/R = 2 мА. Связь между I и UПР диода определяется ВАХ.
Рабочая точка «А» пересечения прямой с ВАХ является графическим решением задачи: I = 1 мА; UПР = 1 В.
Для расчета дифференциального сопротивления диода нужно провести касательную к ВАХ в рабочей точке и определить значения DU и DI как проекции на соответствующие оси:
Этот метод удобно применять для сложных схем, содержащих много элементов.
В простых задачах используются только аналитические зависимости и схемы замещения диода для прямого включения (рис.9.3.3, а) и обратного включения (рис.9.3.3, б). Характеристики диодов, указанные на рисунке, берутся из справочной литературы.
Рис. 8.3.3 Схемы замещения диода
для прямого включения (а) и обратного включения (б).
Пример: при комнатной температуре прямой ток через германиевый диод составляет I = 1А. Найти, при каком напряжении ток через диод будет равен 1% от величины I. Значение IОБР = 3 мкА.
Выражение 8.3.1 для комнатной температуры можно записать в следующем виде:
(8.3.3)
где: e – основание показательной функции.
Ответ: U = 0,2 В.
Основная зависимость обратного тока от материала полупроводника определяется шириной запрещенной зоны DW, так как она стоит в экспоненте:
(8.3.4)
Поэтому для расчета изменений обратного тока или соотношения этой величины у различных диодов достаточно использовать выражение 8.3.4.
Обозначение полупроводниковых диодов
Обозначение состоит из 6-ти элементов (ГОСТ 10862-72):
1 элемент – это буква, указывающая на основе какого материала выполнен диод (Г или 1 – германий, К или 2 – кремний, А или 3 – соединения галлия, например, арсенид галлия, И или 4 – соединения индия). Цифрами обозначаются приборы военной приемки, буквами приборы коммерческого назначения.
2 элемент – буква, обозначающая подклассы диода. Выпрямительные, высокочастотные, импульсные и универсальные – Д. А – сверхвысокочастотные. Варикапы – В. Туннельные – И. Стабилитроны – С. И – туннельные. Ф – фотодиоды. Л – светодиоды. Ц – выпрямительные столбы и блоки.
3 элемент – цифра, определяющая назначение диода. Для выпрямительных диодов: 1 – IПР.MAX ≤ 0,3А; 2 – 0,3А ≤ IПР.MAX ≤ 10А. У стабилитронов определяет мощность рассеяния.
4 и 5 элементы – цифры, определяющие номер разработки, у стабилитронов напряжение стабилизации.
6 элемент – буква, показывающая деление технологического типа на параметрические группы (модификации диодов), у стабилитронов порядковый номер разработки.
Примеры характеристик выпрямительных диодов
Наименование |
UОБР., В |
IПР. max, A |
IОБР. max, мкА |
FD max, кГц |
КД102А |
250 |
0.1 |
0.1 |
10 |
КД102Б |
300 |
0.1 |
1 |
10 |
КД103А |
50 |
0.1 |
0.5 |
20 |
КД105В |
600 |
0.3 |
100 |
1 |
КД209Г |
1000 |
0.2 |
50 |
1 |
КД521Д |
12 |
0.05 |
1 |
100000 |
КД522Б |
50 |
0.1 |
5 |
100000 |
КД2997В |
50 |
30 |
200 |
100 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.