Разработка многоканального генератора импульсных сигналов (амплитуда импульсов аналогового канала - 14*0.4В, длительность - 2*10 мкс)

САУН необходима для установки триггера в исходное состояние при включении питания.

t_{уст.пит.} = (5÷10) мс

t_{уст. пит.max} =10 мс

t_{уст. пит. min}= 5 мс

Принимаем R₃ = 1 кОм.

Отсюда

Приводя к ряду Е24, получим С₂ = 62 мкФ.

Тогда t_зад = 10,81 мс

1.3.3.Расчет генератора

Генератор вырабатывает меандр длительностью 200 мкс.

t_и = t_п = 100 мкс

Е_см = Е_п

У К155ЛН5 к_раз = 25. Для него:

R¹_вых = 260 Ом

R⁰_вых = 10 Ом

R¹_вх = 50 кОм

25,714 Ом R128,571 кОм

Выбираем R = 20 кОм  R₄ = R₅ = R = 20 кОм

 

Отсюда

Приводя к ряду Е24, получим C = 15 нФ.

C = С₃ = 15 нФ.

Частота кварца ZQ обратна периоду меандра, т.е.

f_кварца = 1/Т = 1/200 мкс = 5 кГц

t_восст = C·R¹_вых ln 19 = 11,48 мкс < t_и = 100 мкс.

1.3.4. Расчет заданных импульсов

·  Расчет ФКИ1:

ФКИ1 реализуется на элементе-сборщике ЛИ1. Импульс формируется на разряде. Принимаем R₈ = 910 Ом.

t_{п вх} = 100 мкс

t_{и вых} = 30 мкс

а = t_{п вх}/ t_{и вых} = 3,33

Приводим к ряду Е24: С₄ = 24 нФ.

ЛН5: I⁰_{вых max инв} = 40 мА.

Берем ЛН5 без диода. Рассчитаем диапазон допустимых значений для R₇:

144,9 Ом ≤ R₇ ≤ 400,27 Ом

t_восст = С₄·( R₇ + R₈)·ln 19

I⁰_{вых инв} = Еп/( R₇ | | R₈)

R7, Ом	tвосст,, мкс	I0вых инв, мА
150	74.9065	38.8278
160	75.6132	36.7445
180	77.0265	33.2723
200	78.4399	30.4945
220	79.8532	28.2218
240	81.2665	26.3278
270	83.3865	24.013
300	85.5065	22.1612
330	87.6265	20.646
360	89.7465	19.3834
390	91.8665	18.315

Из таблицы выбираем номинал R₇, при котором величина I⁰_{вых инв} будет минимальной, т.е.

R₇ = 390 Ом

t_восст = 91,8665 мкс < t_{п вх} = 100 мкс

t_{и вых min} = 15,302 мкс

t_{и вых max} = 49,718 мкс

·  Расчет ФКИ2:

ФКИ2 реализуется на элементе-сборщике ЛИ1. Импульс формируется на разряде. Принимаем R₁₀ = 910 Ом.

t_{п вх} = 100 мкс

t_{и вых} = 20 мкс

а = t_{п вх}/ t_{и вых} = 5

 

Приводим к ряду Е24: С₅ = 16 нФ.

ЛН5: I⁰_{вых max инв} = 40 мА.

Берем ЛН5 без диода. Рассчитаем диапазон допустимых значений для R₉:

144,9 Ом ≤ R₉ ≤ 1055,6 Ом

t_восст = С₅·( R₉ + R₁₀)·ln 19

I⁰_{вых инв} = Еп/( R₉ | | R₁₀)

R9,Ом	tвосст,, мкс	I0вых инв, мА
150	49,9376	38,8278
160	50,4088	36,7445
180	51,351	33,2723
200	52,2932	30,4945
220	53,2355	28,2218
240	54,1777	26,3278
270	55,591	24,013
300	57,0043	22,1612
330	58,4177	20,646
360	59,831	19,3834
390	61,2443	18,315
430	63,1288	17,1224
470	65,0132	16,1328
510	66,8977	15,2984
560	69,2532	14,4231
620	72,0799	13,559
680	74,9065	12,8475
750	78,2043	12,1612
820	81,5021	11,5921
910	85,742	10,989
1000	89,9821	10,4945

Из таблицы выбираем номинал R₉, при котором величина I⁰_{вых инв} будет минимальной, т.е.

R₉ = 1 кОм

t_восст = 89,9821 мкс < t_{п вх} = 100 мкс

t_{и вых min} = 10,201 мкс

t_{и вых max} = 33,145 мкс

·  Расчет СЗ1:

СЗ1 реализуется на элементе-сборщике ЛЕ5. Импульс формируется на разряде. Принимаем R₁₂ = 910 Ом.

t_{п вх} = 100 мкс

t_{зад вых} = 60 мкс

а = t_{п вх}/ t_{зад вых} = 1,67

Приводим к ряду Е24: С₆ = 51 нФ.

ЛН5: I⁰_{вых max инв} = 38,4 мА.

Берем ЛН5 с диодом. Рассчитаем диапазон допустимых значений для R₁₁:

151,95 Ом ≤ R₉ ≤ 656,5 Ом

t_восст = С₆·R₁₁·ln 19

I⁰_{вых инв} = Еп/( R₁₁ | | R₁₂)

R11, Ом	tвосст,, мкс	I0вых инв, мА
160	24,026	36,7445
180	27,029	33,2723
200	30,033	30,4945
220	33,036	28,2218
240	36,039	26,3278
270	40,544	24,013
300	45,049	22,1612
330	49,554	20,646
360	54,059	19,3834
390	58,564	18,315
430	64,571	17,1224
470	70,578	16,1328
510	76,584	15,2984
560	84,093	14,4231
620	93,103	13,559

Из таблицы выбираем номинал R₁₁, при котором величина I⁰_{вых инв} будет минимальной, т.е.

R₁₁ = 620 Ом

t_восст = 93,103 мкс < t_{п вх} = 100 мкс

Для этой СЗ используем переменный резистор.

·  Расчет ФКИ3:

ФКИ3 реализуется на элементе-сборщике ЛИ1. Импульс формируется на разряде. Принимаем R₁₄ = 910 Ом.

t_{п вх} = 160 мкс

t_{и вых} = 30 мкс

а = t_{п вх}/ t_{и вых} = 5,33

Приводим к ряду Е24: С₇ = 24 нФ.

ЛН5: I⁰_{вых max инв} = 40 мА.

Берем ЛН5 без диода. Рассчитаем диапазон допустимых значений для R₁₃:

144,9 Ом ≤ R₁₃ ≤ 1185,33 Ом

t_восст = С₇·( R₁₃ + R₁₄)·ln 19

I⁰_{вых инв} = Еп/( R₁₃ | | R₁₄)

R13, Ом	tвосст,, мкс	I0вых инв, мА
150	74,9065	38,8278
160	75,6132	36,7445
180	77,0265	33,2723
200	78,4399	30,4945
220	79,8532	28,2218
240	81,2665	26,3278
270	83,3865	24,013
300	85,5065	22,1612
330	87,6265	20,646
360	89,7465	19,3834
390	91,8665	18,315
430	94,6932	17,1224
470	97,5198	16,1328
510	100,3465	15,2984
560	103,8798	14,4231
620	108,1198	13,559
680	112,3598	12,8474
750	117,3064	12,1612
820	122,2531	11,592
910	128,6131	10,989
1000	134,9731	10,4945
1100	142,0397	10,04

Из таблицы выбираем номинал R₁₃, при котором величина I⁰_{вых инв} будет минимальной, т.е.

R₁₃ = 1,1 кОм

t_восст = 142,0397 мкс < t_{п вх} = 160 мкс

t_{и вых min} = 15,302 мкс

t_{и вых max} = 49,718 мкс

·  Расчет ФКИ4:

ФКИ4 реализуется на элементе-сборщике ЛИ1. Импульс формируется на разряде. Принимаем R₁₆ = 910 Ом.

t_{п вх} = 160 мкс

t_{и вых} = 20 мкс

а = t_{п вх}/ t_{и вых} = 8

Приводим к ряду Е24: С₈ = 16 нФ.

ЛН5: I⁰_{вых max инв} = 40 мА.

Берем ЛН5 без диода. Рассчитаем диапазон допустимых значений для R₁₅:

144,9 Ом ≤ R₁₅ ≤ 2234,96 Ом

t_восст = С₈·( R₁₅ + R₁₆)·ln 19

I⁰_{вых инв} = Еп/( R₁₅ | | R₁₆)

R15, Ом	tвосст,, мкс	I0вых инв, мА
150	49,9376	38,8278
160	50,4088	36,7445
180	51,351	33,2723
200	52,2932	30,4945
220	53,2355	28,2218
240	54,1777	26,3278
270	55,591	24,013
300	57,0043	22,1612
330	58,4177	20,646
360	59,831	19,3834
390	61,2443	18,315
430	63,1288	17,1224
470	65,0132	16,1328
510	66,8977	15,2984
560	69,2532	14,4231
620	72,0799	13,559
680	74,9065	12,8474
750	78,2043	12,1612
820	81,5021	11,592
910	85,742	10,989
1000	89,9821	10,4945
1100	94,6932	10,04
1200	99,4043	9,6612
1300	104,1154	9,3407
1500	113,5376	8,8278
1600	118,2487	8,6195
1800	127,6709	8,2723
2000	137,0931	7,9945
2200	146,5153	7,7672

Из таблицы выбираем номинал R₁₅, при котором величина I⁰_{вых инв} будет минимальной, т.е.

R₁₅ = 2,2 кОм

t_восст = 146,5153 мкс < t_{п вх} = 160 мкс

t_{и вых min} = 10,201 мкс

t_{и вых max} = 33,145 мкс

·  Расчет СЗ2:

СЗ2 реализуется на элементе-сборщике ЛИ1. Импульс формируется на заряде. Принимаем R₁₇ = 1,5 кОм.

t_{п вх} = 30 мкс

t_{зад вых} = 10 мкс

а = t_{зад вых} / t_{п вх} = 0,33

ЛН5: I⁰_{вых max инв} = 38,4 мА.

Берем ЛН5 без диода. Рассчитаем диапазон допустимых значений для R₁₈:

142,59 Ом ≤ R₁₈ ≤ 767,85 Ом

t_восст = С₉·R₁₈·ln 19

t_{и вых} = t_{и вх} – t_зад = 170 – 10 = 160 мкс

R18, Ом	С9, нФ	С9 (Е24), нФ	tи вых рас
150	18,45	18	160,2434
		20	159,1594
160	18,34	18	160,1843
		20	159,0937
180	18,12	18	160,066
		20	158,9623
200	17,906	16	161,0647
		18	159,9478
220	17,698	16	160,9596
		18	159,8295
240	17,495	16	160,8544
		18	159,7113
270	17,198	16	160,6968
		18	159,5339
300	16,912	16	160,5391
		18	159,3565
330	16,634	16	160,3814
		18	159,1791
360	16,366	16	160,2237
		18	159,0017
390	16,106	16	160,066
		18	158,8243
430	15,772	15	160,4898
		16	159,8558
470	15,452	15	160,2927
		16	159,6456
510	15,144	15	160,0956
		16	159,4353
560	14,777	13	161,2027
		15	159,8492
620	14,359	13	160,9464
		15	159,5536
680	13,964	13	160,6902
		15	159,2579
750	13,529	13	160,3913
		15	158,913

Из таблицы выбираем номинал R₁₈, при котором t_{и вых рас} = t_{и вх} – t_зад  будет иметь  минимальное отклонение от заданного значения t_{и вых} , т.е.

R₁₈= 200 Ом.

t_восст = 10,6 мкс < t_{п вх} = 30 мкс

I⁰_{вых инв} = Е_п /(R1||R2)  I⁰_{вых max инв}

I⁰_{вых инв} = 28,33 мА < 38,4 мА

t_{зад min} = 4,098 мкс

t_{зад max} = 20,236 мкс

·  Расчет ФКИ5:

ФКИ5 реализуется на элементе-сборщике ЛИ1. Импульс формируется на разряде. Принимаем R₂₀ = 910 Ом.

t_{п вх} = 40 мкс

t_{и вых} = 40 мкс

а = t_{п вх}/ t_{и вых} = 1

Приводим к ряду Е24: С₁₀ = 33 нФ.

ЛН5: I⁰_{вых max инв} = 40 мА.

Берем ЛН5 с диодом. Рассчитаем диапазон допустимых значений для R₁₉:

144,9 Ом ≤ R₁₉ ≤ 393,12 Ом

t_восст = С₁₀· R₁₉·ln 19

I⁰_{вых инв} = Еп/( R₁₉ | | R₂₀)

R19, Ом	tвосст,, мкс	I0вых инв, мА
150	14,575	38,8278
160	15,5466	36,7445
180	17,49	33,2723
200	19,4333	30,4945
220	21,3766	28,2218
240	23,32	26,3278
270	26,235	24,013
300	29,1499	22,1612
330	32,0649	20,646
360	34,9799	19,3834
390	37,8949	18,315

Из таблицы выбираем номинал R₁₉, при котором величина I⁰_{вых инв} будет минимальной, т.е.

R₁₉ = 390 Ом

t_восст = 37,8949 мкс < t_{п вх} = 40 мкс

t_{и вых min} = 21,04 мкс

t_{и вых max} = 68,362 мкс

1.3.5. Расчет ОУ

2,4 (а₁ + а₂) + 0,4 (а₃ + а₄ + а₅) + 5а_к = 5,6                а₁ = -2,6

2,4 а₁ + 0,4 (а₂ + а₃ + а₄ + а₅) + 5а_к = -5,2                 а₂ = 5,4

2,4 (а₃ + а₄) + 0,4 (а₁ + а₂ + а₅) + 5а_к = 4,8           а₃ = 3,2

2,4 а₃ + 0,4 (а₁ + а₂ + а₄ + а₅) + 5а_к = 6,4                  а₄ = -0,8

2,4 а₅ + 0,4 (а₁ + а₂ + а₃ + а₄) + 5а_к = 5,2                  а₅ = 2,6

0,4 (а₁ + а₂ + а₃ + а₄ + а₅) + 5а_к = 0                           а_к = -0,624

Рассчитаем балансировочный коэффициент:

а_R = (|а₁| + |а₄| + |а_к| + 1) – (а₂ + а₃ + а₅) = -6,176  R_I = const, R_N = ∞

а_max = |а_R| = 6,176  R_I = R_min = 10 кОм

R_ос = | а_max |· R_min = 61,76 кОм  R_ос(Е24) = 62 кОм

Рассчитаем резисторы обрамления по формуле:

R_i = R_ос(Е24)/ |а_i|

R₁ = R₂₂ = 62/2,6 = 23,8 кОм  R₂₂(Е24) = 24 кОм

R₂ = R₂₃ = 62/5,4 = 11,48 кОм  R₂₃(Е24) = 11 кОм

R₃ = R₂₄ = 62/3,2 = 19,4 кОм  R₂₄(Е24) = 20 кОм

R₄ = R₂₅ = 62/0,8 = 77,5 кОм  R₂₅(Е24) = 75 кОм

R₅ = R₂₆ = 62/2,6 = 23,8 кОм  R₂₆(Е24) = 24 кОм

R_к  = 62/0,624 = 99,4 кОм  R_к(Е24) = 100 кОм

Рассчитаем погрешность небаланса:

R^-_∑ = R₂₂|| R₂₅|| R_к|| R_I|| R_ос = 24||75||100||10||62 = 5,5209 кОм

R⁺_∑ = R₂₃|| R₂₄|| R₂₆ = 11||20||24 = 5,4772 кОм

δ,% = (R_max - R_min)/ R_min · 100%

δ,% = (5,5209 – 5,4772)/ 5,4772 · 100% = 0,7979% < 10%

1.3.6. Цифровой канал

Для цифрового канала нам надо реализовать функцию x₁ + x₃ + x₅. По правилу де Моргана в общем виде:

Поэтому сигналы 1 и 3, проходя через инверторы DD6.3, DD6.4, собираются на элементе DD5.4 (“И”), с выхода которого попадают на элемент DD1.4 (“И-НЕ”), где соединяются с сигналом 5, инвертированным элементом DD6.5.

·  КМОПТЛ – канал

Для формирования КМОПТЛ - канала используется К155ЛН5.

К_{р max} = 25; I⁰_{вх инв} = 1,6 мА; К_{р факт} = 100; Е_п = +10 В;U⁰_вх ≤ 1,5 В;

U¹_вх ≥ 8,5 В; U¹_вых ≈ 8,5 В; I⁰_вх ≤ 0,2 мкА; I¹_вх ≥ 0,5мкА.

250,125 Ом ≤ R₂₇ ≤ 30 кОм

Выбираем R₂₇ = 15 кОм.

1.4. Анализ нестабильности временной диаграммы

ФКИ 1:  t_{и вых min}=15,302 мкс

               t_{и вых max}= 49,718 мкс

ФКИ 2:  t_{и вых min}=10,201 мкс

               t_{и вых max}=33,145 мкс

ФКИ 3:  t_{и вых min}=15,302 мкс

               t_{и вых max}=49,718 мкс

ФКИ 4:  t_{и вых min}=10,201 мкс

               t_{и вых max}=33,145 мкс

CЗ 2:      t_{зад min}=4,098 мкс

               t_{зад max}=20,236 мкс

ФКИ 5:  t_{и вых min}=21,04 мкс

               t_{и вых max}=68,362 мкс

В СЗ1 используется переменный резистор, поэтому она в расчете нестабильности не участвует.

Длительность информационной части:

·  При “расширении”: t = 198,316 мкс < 199 мкс

·  При “сжатии”: t = 100,44 мкс < 199 мкс

Таким образом, соблюдаются требования к нестабильности:

 - при “расширении” длительность информационной части не более 199 мкс;

 - при “сжатии” длительности импульсов не менее 1 мкс.

2. Проект МГИС на ИМС высокой степени интеграции

2.1. Разработка принципиальной схемы 2-го варианта.

Необходимо сформировать следующую последовательность импульсов:

В исходном состоянии схемы RS-триггер, собранный на элементах DD1.1, DD1.2, находится в нулевом состоянии, т.к. при включении питания с САУН, собранной на элементах VD2, R₃, С₂, на вход триггера через DD4.1 подается сигнал, устанавливающий его в нулевое состояние. При этом логическая “1” с инверсного выхода триггера поступает на вход сброса R счетчика и устанавливает его в нулевое состояние. При нажатии на кнопку “Пуск” SB1 формируется короткий нулевой импульс, на прямом выходе триггера появляется “1”, которая запускает генератор, а на инверсном – “0”, который разрешает работу счетчика. Кварцевый генератор, собранный на элементах DD1.3 и DD1.4, формирует меандр длительностью 20 мкс.

Четырехразрядный счетчик DD2 каждые 20 мкс формирует двоично-десятичный код, который используется в качестве адреса на входах А₁ – А₄ ППЗУ DD3. На вход А₀ подается прямой выход генератора, который меняет свое состояние каждые 10 мкс. На выходе Y₀ элемента DD3 формируется сигнал высокого или низкого уровня в зависимости от данных, содержащихся в памяти DD3. На выходе Y₁ элемента DD3 появляется высокий уровень сигнала по приходу 9-го такта работы генератора, и, если схема работает в ручном режиме, на вход элемента DD1.2 через DD4.1 поступает сигнал низкого уровня, переводящий триггер в нулевое состояние, что запрещает работу генератора и счетчика.

Выбор режима работы осуществляется тумблером SA1. в автоматическом режиме он подключен к “земле”, на выходе элемента DD4.1 будет присутствовать “1”, которая осуществляет режим хранения “1” на выходе RS-триггера, тем самым, разрешая работу всей схемы неопределенное время.

2.2. Расчет принципиальной схемы 2-го варианта

САУН и ФОИ рассчитаны в 1-ом варианте (п. 1.3.1 и 1.3.2).

2.2.1. Расчет генератора

Генератор формирует меандр длительностью 20 мкс.

t_и = t_п = 10 мкс

Е_см = Е_п

У К155ЛН5 к_раз = 25. Для него:

R¹_вых = 260 Ом

R⁰_вых = 10 Ом

R¹_вх = 50 кОм

25,714 Ом R128,571 кОм

Выбираем R = 20 кОм  R₄ = R₅ = R = 20 кОм

 

Отсюда

Приводя к ряду Е24, получим C = 1,5 нФ.

C = С₃ = 1,5 нФ.

Частота кварца ZQ обратна периоду меандра, т.е.

f_кварца = 1/Т = 1/20 мкс = 50 кГц

t_восст = C·R¹_вых ln 19 = 1,148 мкс < t_и = 10 мкс.

2.2.2. ППЗУ

Используется ППЗУ 556РТ5 с открытым коллектором. Резисторы на используемых выходах R₉, R₁₀ берутся номиналом 390 Ом.

Матрица прошивки ПЗУ

Такт	Адрес					Данные
	A4	A3	A2	A1	A0	Y1	Y0
0	0	0	0	0	0	0	0
1	0	0	0	0	1	0	1
2	0	0	0	1	0	0	1
3	0	0	0	1	1	0	1
4	0	0	1	0	0	0	0
5	0	0	1	0	1	0	0
6	0	0	1	1	0	0	0
7	0	0	1	1	1	0	1
8	0	1	0	0	0	0	1
9	0	1	0	0	1	0	1
10	0	1	0	1	0	0	0
11	0	1	0	1	1	0	1
12	0	1	1	0	0	0	1
13	0	1	1	0	1	0	1
14	0	1	1	1	0	0	1
15	0	1	1	1	1	0	0
16	1	0	0	0	0	0	0
17	1	0	0	0	1	1	0
18	1	0	0	1	0	0	0
19	1	0	0	1	1	0	0
20	0	0	0	0	0	0	0

3. Приложения

Спецификация элементов схемы 1-го варианта

формат	зона	обозначение	наименование	колич.	примечание
			Конденсаторы
		С1	КМ-5Б 3 нФ	1
		С2	КМ-5Б 62 нФ	1
		С3	КМ-5Б 15 нФ	1
		С4,С7	КМ-5Б 24 нФ	2
		С5, С8	КМ-5Б 16 нФ	2
		С6	КМ-5Б 51 нФ	1
		С9	КМ-5Б 8.2 нФ	1
		С10	КМ-5Б 33 нФ	1
			Микросхемы
		DA1	К140УД10	1
		DD1	К155ЛА3	1
		DD2, DD6	К155ЛН5	2
		DD3, DD5	К155ЛИ1	2
		DD4	К155ЛЕ5	1
		DD7	К500ПУ124	1
			Резисторы
		R1	МЛТ-0.125 390 кОм	1
		R2, R3, R6	МЛТ-0.125 1 кОм	3
		R4, R5,R24	МЛТ-0.125 20 кОм	3
		R7	МЛТ-0.125 390  кОм	1
		R8,R10,R14,R16,R19,R20	МЛТ-0.125 910 Ом	6
		R9, R21,R28	МЛТ-0.125 1 кОм	3
		R11	МЛТ-0.125 0,62 kОм	1
		R12	МЛТ-0.125 1,5 kОм	1	подстроечный
		R13	МЛТ 0.125 1.1 кОм	1
		R15	МЛТ 0.125 2.2 кОм	1
		R17	МЛТ 0.125 1.5 кОм	1
		R18	МЛТ-0.125 200 кОм	1
		R22, R26	МЛТ-0.125 24 кОм	2
		R23	МЛТ 0.125 11 кОм	1
		R25	МЛТ-0.125 75 кОм	1
		R27	МЛТ-0.125 15 кОм	1
		RI	МЛТ-0.125 10 кОм	1
		Rос	МЛТ-0.125 62 кОм	1
		Rк	МЛТ-0.125 100 кОм	1
			Диоды
		VD1-VD6	КД522А	6
			Кварцевый резонатор
		QZ	5 кГц	1

Спецификация элементов схемы 2-го варианта

формат	зона	обозначение	наименование	кол.	Примеч.
			Конденсаторы
		С1	КМ-5Б 3 нФ	1
		С2	КМ-5Б 62 нФ	1
		С3	КМ-5Б 1,5 нФ	1
			Микросхемы
		DD1	155ЛА3	1
		DD2	155ИЕ6	1
		DD3	556РТ5	1
		DD4	155ЛП5	1
			Резисторы
		R1	МЛТ-0.125 390 кОм	1
		R2, R3, R6, R7, R8	МЛТ-0.125 1 кОм	3
		R4, R5	МЛТ-0.125 20 кОм	2
		R9, R10	МЛТ-0.125 390 Ом	2
			Кварцевый резонатор
		ZQ	50 кГц	1
			Диоды
		VD1-VD4	идеальный	4

4. Заключение

Многоканальный генератор импульсных сигналов может использоваться в современных электронных системах. Возможность подключения к генератору, выполненному на элементах малой степени интеграции, устройств с различной логикой (ТТЛ, КМОПТЛ, ЭСЛ), расширяет область его применения. Генератор на элементах высокой степени интеграции являет собой решение формирования импульсных сигналов при малой элементной базе и с возможностью задания большого количества