Разработка многоканального генератора импульсных сигналов (амплитуда импульсов аналогового канала - 13*0.4В, длительность - 4*10 мкс), страница 6

формат

зона

обозначение

наименование

кол-во

примечание

Конденсаторы

C1

К52-1 100мкФ

1

С2

КМ-5Б 3 нФ

1

С3,С5

КМ-5Б 120 нФ

2

С4

КМ-5Б 33 нФ

1

С6,С7,С10

КМ-5Б 8,2 нФ

3

С8

КМ-5Б 13 нФ

1

С9

КМ-5Б 18 нФ

1

Микросхемы

DD1,DD2

K155ЛИ1

2

DD3

К155ЛА12

1

DD4,DD5

К155ЛН5

2

DD6

K155ЛЛ1

1

DA1

К544УД1

1

DD7

К500ПУ124

1

Резисторы

R1

МЛТ 0.125 300 кОм

1

R2,R3, R4,R11,R12, R18, R29,R30,R32

МЛТ 0.125 1 кОм

9

R5

МЛТ 0.125 430 Ом

1

R7,R8,R13,R16,R19

МЛТ 0.125 910 Ом

5

R9

СП3-9  330 Ом

1

R10

МЛТ 0.125 1,8 кОм

1

R14

МЛТ 0.125 390 Ом

1

R15

МЛТ 0.125 820 Ом

1

R17

МЛТ 0.125 1,1 кОм

1

R20

МЛТ 0.125 750 кОм

1

R21

МЛТ 0.125 100 кОм

1

R22,R25

МЛТ 0.125 27 кОм

2

R23

МЛТ 0.125 24 кОм

1

R24,R26

МЛТ 0.125 22 кОм

2

R27

МЛТ 0.125 10 кОм

1

R28

МЛТ 0.125 68 кОм

1

R31

МЛТ 0.125 15 кОм

1

Диоды

VD1-VD7

КД522А

7

Резонатор

ZQ1

5 кГц

1

Схема 2.

формат

зона

обозначение

наименование

кол- во

примеча ние

Конденсаторы

C1

К52-1 100мкФ

1

С2

КМ-5Б 3 нФ

1

С3

КМ-5Б 120 нФ

1

Микросхемы

DD1

K155ЛА3

1

DD2

К155ЛИ1

1

DD3

К555ИЕ19

1

DD4

556РТ4

1

Резисторы

R1

МЛТ 0.125 300 кОм

1

R2,R3, R6, R7

МЛТ 0.125 1 кОм

4

R4,R5

МЛТ-0,125 3 кOм

2

Диоды

VD1-VD4

КД522А

4

Резонатор

ZQ1

100 кГц

1

Структурная схема МГИС на ИМС первого варианта.

Структурная схема МГИС на ИМС второго варианта.