Исследование транзисторного ключа: Методические указания к выполнению лабораторной работы № 9 дисциплины "Электроника", страница 2

 


Рисунок 3 – Временные диаграммы входного и выходного напряжений ключевой схемы

 
                         

Пороговые значения напряжения на выходе схемы достигается позднее, чем на входе на интервал времени  tзд1/ 0  (длительность включения)  при изменении входного напряжения от U0  до U1 (перепад 0 → 1) и на tзд0 ∕ 1 (длительность выключения) при перепаде 1 → 0. Это приводит к задержке распространения сигнала  tзд.р.ср . Причинами задержек является инерционность транзистора, входящего в ключевую схему. Быстродействие ключа определяют по времени задержки распространения сигнала, как среднее арифметическое величин задержек tзд1/ 0 и  tзд0 ∕ 1

tзд. р.ср = 0,5(tзд1/ 0 + tзд0 ∕ 1)                       (3)

Быстродействие ключа можно значительно повысить, если  уменьшить длительность включения ключа  tзд1/ 0  за счет увеличения отпирающего тока базы. Увеличение переднего фронта импульса тока базы I1ф.б значительно сократит время заряды диффузионной емкости эмиттерного перехода и повысит скорость пролета электронов через область базы.  Однако при большом токе базы велика степень насыщения транзистора, что приведет к увеличению длительности  выключения ключа tзд0 ∕ 1. Длительность выключения ключа также можно уменьшить увеличив обратный запирающий тока базы  I2ф.б.  Следовательно, управляющий ток базы должен иметь форму, показанную на рис. 4.

 


Требуемую форму управляющего тока базы I б транзисторного ключа можно получить, включив в цепь базы  ускоряющую емкость С,  рис. 5.

 3. Ненасыщенный транзисторный ключ.

Рассмотренная ключевая схема в пункте 2 обладает существенным достоинством – большим, приближающемся к единице,  коэффициентом использования питающего напряжения.

Однако, в этой схеме транзистор в состоянии ключа «включено» находится в режиме насыщения. Оба перехода и  коллекторный, и эмиттерный  открыты  и через транзистор протекает большой ток насыщения Iкн,  а остаточное  напряжение на коллекторе Uкэ.н ≈ 0.    Это приводит к тому, что в коллекторном переходе происходит большое накопление не основных носителей заряда.

При переключении ключа в состояние «выключено» ток коллектора остается равным току Iкн до тех пор пока не закончится рассасывание

Рисунок 5 – Схема транзисторного ключа с ускоряющей емкостью

 

 накопленных в коллекторном переходе зарядов. Этап рассасывания значительно снижает быстродействие ключа.

В ненасыщенных ключах предотвращают работу транзистора в режиме насыщения, вводя нелинейную обратную связь, реализуя работу транзистора в активном режиме.

В схеме с нелинейной обратной связью (рис. 6) между коллектором и базой транзистора включают диод, имеющий меньшее прямое напряжение Uпр по сравнению с прямым напряжением коллекторного перехода Uкб.пр.

Рисунок 6 – Схема ненасыщенного транзисторного ключа

 
 

 Когда транзистор заперт или работает в активном режиме, диод включен в обратном направлении и не влияет на работу ключа.

При переходе ключа в состояние «включено» напряжение на коллекторе Uкэ падает и если оно  становится  меньше напряжения базы Uбэ (Uкэ < Uбэ), диод отпирается на нем устанавливается прямое напряжение  Uпр,

Это напряжение фиксирует напряжение Uкэ и ток Iк, соответствующие точке  пересечения нагрузочной характеристики с выходной статической характеристикой на границе режима насыщения и активного режима работы  транзистора.  В этом режиме инжекция носителей из коллектора в базу и, следовательно, накопление не основных носителей в области базы не происходит. Благодаря этому значительно снижается и время рассасывания.

Остаточное напряжение на выходе включенного ключа  (Uкэ.ост) может быть значительным Uкэ.ост> Uкн , что приведет к уменьшению выходного импульса и к снижению коэффициента использования питающего напряжения.

4. Порядок выполнения работы

4.1. Снятие передаточной характеристики транзисторного ключа

Снятие передаточной характеристики выполняется при помощи пакета программ Workbench ЕВА 5.0.