Электротехника \ Электроника

Исследование полевого транзистора трёх типов (с изолированным затвором, индуцированным и встроенным каналом)

Страницы работы

5 страниц (Word-файл)
Скачать файл

Содержание работы

МИНИСТЕРСТВО ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ

ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ

Кафедра “Радиотехника”

Лабораторная работа №22

“Исследование полевого транзистора”

                                                                                       Выполнил:

                                                                                студент группы АР-209

                                                                                       Тарабан О.В.

                                                                                       Проверил:            

                                                                                       Роенков Д. Н.                                                                                               

Санкт-Петербург

2003

Цель работы: Исследовать полевой транзистор трёх типов: с изолированным  затвором, индуцированным   и встроенным каналом.

                                                                                                       Схема 1

Схема на транзисторе с управляемым р-n переходом.

Схема 2

Схема на транзисторе с индуцированным каналом.

                                              Схема 3

Схема на транзисторе с встроенным каналом.

Таблица1.

 UЗИ

0

100 мВ

200 мВ

300 мВ

500 м В

1 В

UCИ

                                    IC  мкА

100 мВ

0,139

0,014

0,014

0,014

0,014

0,014

500 мВ

0,167

0,056

0,056

0,056

0,056

0,056

   1В

0,222

0,111

0,111

0,111

0,111

0,111

   5В

0,888

0,888

0,888

0,888

0,888

0,888

  10 В

1,776

1,776

1,776

1,776

1,776

1,776

  15В

1,776

1,776

1,776

1,776

1,776

1,776

   20 В

3,553

3,553

3,553

3,553

3,553

3,553

   25 В

3,553

3,553

3,553

3,553

3,553

3,553

   35 В

7,105

7,105

7,105

7,105

7,105

7,105

 Таблица 2

Uзи, В

1

2

3

4

5

10

Ucи, В

Ic, мкА

0,05

0,007

1423

2633

3649

4515

7443

0,1

0,014

2786

5220

7262

9002

14880

0,3

0,06

3618

15100

21350

2660

44490

1

0,111

16000

43290

65760

84610

146700

5

0,888

16040

64120

144200

256100

679900

12

1,776

16040

64120

144200

256100

1273000

15

1,776

16040

64120

144200

256100

1293000

                                                                                                              Таблица 3

Uзи, В

-10

-5

-2

-1

0

1

2

3

Ucи, В

Ic, мкА

-0,05

350700

146000

42370

14530

-311,2

-1070

-1138

-1209

-0,1

349800

145200

41690

13800

-642,7

-1365

-1445

-1529

-0,5

342200

138700

35150

8010

-4183

-4682

-4904

-5136

-1

332300

130100

24610

-0,111

-10250

-10780

-11300

-11830

-5

234900

-888000

-83500

-90750

-95440

-100300

-105400

-110600

-15

442500

-551300

-588300

-601200

-614300

-627400

-640400

-853300

-30

1610000

-1699000

-1767000

-1793000

-1822000

-1851000

-1883000

-1916000

График зависимости Uси=f(Ic) для схемы с управляемым p-n переходом

График зависимости           IC = f(UЗИ)  для схемы управляемым p-n переходом

График зависимости Uси=f(Ic) для схемы с индуцированным каналом

График зависимости           IC = f(UЗИ)  для схемы с индуцированным каналом

График зависимости Uси=f(Ic) для схемы с встроенным каналом

График зависимости IC = f(UЗИ)  для схемы с встроенным каналом

Похожие материалы

Информация о работе

ВУЗ:
Петербургский государственный университет путей сообщения (ПГУПС)
Предмет:
Электроника
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Категория:
Электротехника (Технические предметы)
Размер файла:
893 Kb
Скачали:
0
Скачать файл