.
Принимая ток разряда конденсаторов в моменты коммутации силовых транзисторов в 20 раз меньше тока коллектора, находится сопротивление демпфирующей цепи,
.
Выбираем резистор типа С2 – 23 150Ом5% 2Вт.
Диод, включенный в цепь заряда емкости демпфирующей цепи, выбирается из условия и .
Выбирается диод типа КД212В на обратное напряжение 100В и импульсный прямой ток 50А.
Обратные диоды VD5,VD7,VD11,VD14 также выбираются по обратному напряжению и прямому току. Средний ток диода,
.
Напряжение, приложенное к диоду,
.
Выбирается диод типа КД213Б на напряжение 200В и ток 10А.
Рассеиваемая на диоде мощность,
,
где - прямое напряжение на диоде; определяется по графику =0,78В.
Температура перехода обратного диода,
,
где - тепловое сопротивление переход – среда,
,
.
Температура перехода превышает предельную температуру перехода . Поэтому для отвода тепла рассчитывается радиатор. Обратные диоды целесообразно установить на общий с силовыми транзисторами радиатор на внутренней его стороне. Внутри преобразователя будут находиться элементы, которые имеют предельную температуру окружающей среды равную . Поэтому, при расчете площади теплоотвода необходимо в формуле применять такую температуру р – n перехода, при которой бы температура радиатора не превышала .
Тепловое сопротивление переход – корпус диода,
.
Температура перехода обратного диода,
Площадь радиаторов для обратных диодов,
В качестве датчика тока для защиты преобразователя от перегрузок по току и короткого замыкания выбирается стандартный шунт RS типа 75ШС – 30А – 75мВ – 0,5.
Для защиты преобразователя от подключения источника питания обратной полярности используется диод VD1. Тип диода В – 25 – 0,5. средний прямой ток диода 25А. защитный ток 1000А. Обратное напряжение 50В.
5.5 Расчет источника питания для схемы управления.
С целью сокращения габаритов и стоимости разрабатываемого устройства в качестве источника питания для схемы управления выбирается интегральная микросхема (ИМС) типа К142ЕН3 с типовой схемой включения навесных элементов (рис.5.3).
Основные параметры ИМС К142ЕН3:
Максимальное входное напряжение ;
Минимальное входное напряжение ;
Диапазон регулирования выходного напряжения ;
Максимальный ток нагрузки ;
Минимальное падение напряжения на регулирующем элементе ;
Максимальная рассеиваемая мощность ;
Предельно допустимая температура перехода ;
Предельно допустимая температура корпуса ;
Тепловое сопротивление между переходом и окружающей средой .
Назначение элементов:
R1 – ограничительный резистор для регулирования порога срабатывания тепловой защиты в диапазоне температур корпуса ИМС от +65 до +145;
R2 – резистор – датчик сигнала для защиты ИМС от перегрузки по току или короткого замыкания в нагрузке;
С3 – корректирующий конденсатор, обеспечивающий устойчивую работу стабилизатора, обычно применяется С3=0,01мкФ.
С2 – конденсатор, блокирующий вход микросхемы от наводок и помех со стороны монтажа.
В качестве конденсаторов С3 и С2 выбираются керамические конденсаторы типа КМ – 5б – Н90 – 0,01 мкФ % .
С1 – конденсатор, устраняющий генерации при скачкообразном включении входного напряжения, выбирается из условия . Выбирается конденсатор К10 – 17 – 1а 0,33мкФ 50В.
С5 – конденсатор, обеспечивающий устойчивость при импульсном изменении тока нагрузки, снижает уровень пульсации; выбирается из условия . Выбирается конденсатор типа КМ5 – 0,1 мкФ Н90.
С4 – конденсатор, служащий для уменьшения выходного сопротивления стабилизатора на частоте пульсации. Выбирается конденсатор типа К50 – 12 – 200мкФ 6,3В.
R3, R4 – делитель выходного напряжения. Сопротивление резистора R4 определяется уровнем опорного напряжения и составляет обычно 1,2кОм. Сопротивление резистора R3 определяется по формуле,
(5,6)
где - выходное напряжение стабилизатора; для микросхем ТТЛ при напряжении питания - 5В.
Сопротивление резистора R3 из (5.6)
Ток через резисторы R3, R4,
Мощность, рассеиваемая на резисторах R3, R4
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.