1. Включают вольтметр тумблером и дают прогреться в течение 30 минут. Переключатель 1 устанавливают в положение 10кОм. Переключатель 2 – в положение «Установка нуля».
2. После прогрева с помощью шлица калибровкой 10кОм установить нулевой показание шкалы. Затем перевести переключатель 2 в положение .
Упражнение 1. Исследование сетевой характеристики
фотосопротивления
1. На оптической скамье размещают осветитель и исследуемое сопротивление, которое соединяют специальным гнездом вольтметра.
2. Открывают полностью ирисовую диафрагму осветителя.
3. Устанавливают расстояние от центра лампы осветителя до фотосопротивления 10см и измеряют величину .
4. Изменяя расстояние через каждые 10см, измеряют для каждого из них свое значение .
5. По формуле (2) для каждого вычисляют величину светового потока.
6. По полученным данным строят световую характеристику фотосопротивления, т.е. зависимость .
7. Аналогичное измерение проводят и с другим сопротивлением.
Упражнение 2. Снятие спектральной характеристики
фотосопротивления
1. Устанавливают фотосопротивление на расстоянии 20см от осветителя. Диафрагма полностью раскрыта.
2. Помещают перед ирисовой диафрагмой осветителя (фиолетовый, синий, зеленый, желтый, красный) и снимают для них значения .
3. Строят спектральную характеристику фотосопротивления, т.е. зависимость . Длины волн указаны в таблице и конце описания.
4. Аналогичные измерения проводят и для другого сопротивления.
Упражнение 3. Исследование световой характеристики
полупроводникового фотоэлемента
1. Вместо фотосопротивления помещают на оптической скамье полупроводниковый фотоэлемент и соединяют его с фотоэлементом. При этом следят за тем, чтобы плюс фотоэлемента был присоединен к плюсу микроамперметра.
2. Устанавливают фотоэлемент на расстоянии 10 см от осветителя. Диафрагма полностью раскрыта. Осветитель выключен.
3. Открыв фотоэлемент, определяют его темновой ток .
4. Включают осветитель в сеть и измеряют величину фототока .Фототок, вызванный исследуемым источником, фотоэлементом .
5. Измеряют диаметр рабочей части фотоэлемента: вычисляют площадь его рабочей части и по формуле (2) подсчитывают величину светового потока .
6. Изменяют через каждые 10 минут расстояние и находят для них свое значение фототока . Вычисляют для этих расстояний величину светового потока .
7. Строят график зависимости , т.е. световую характеристику фотоэлемента.
Упражнение 4. Определение спектральной характеристики
полупроводникового фотоэлемента
1. На пути светового пучка помещают поочередно интерференционные светофильтры с максимум пропускания в диапазоне синей, зеленой, желтой и красной областях спектра.
2. Включают осветитель и измеряют для соответствующих светофильтров величину фототока.
3. Строят график спектральной зависимости фототока от длины волны ,
, взяв значения из таблицы в конце описания, и делают вывод.
Примечание. Фотоэлемент в этом упражнении должен быть удален на 20см от источника света. Диафрагма полностью открыта.
ТАБЛИЦА ДЛИН ВОЛН СВЕТОФИЛЬТРОВ
1. КС-13 – 7000А 4. ЗС-13 – 5400А
2. ОС-13 – 6500А 5. СС-13 – 4000А
3. ЖС-13 – 6000А 6. ФС-13 – 3800А
Площадь светочувствительного слоя фотосопротивления вычисляется по формуле площади круга, предварительно измерив диаметр рабочей части фотоэлемента.
ФСК-1
ФСК-2
Сила света лампы рассчитывается по формуле , где – мощность лампы осветителя (), а – механический эквивалент света (),
Упражнение 5. Определение интегральной чувствительности полупроводникового фотоэлемента
1. При фиксированном расстоянии измеряют величину фототока .
2. Воспользовавшись результатами предыдущего вычисления площади , по формуле (5) вычисляют интегральную чувствительность элемента .
3. Аналогично измерения проводят при других значениях и для них вычисляют свое значение .
4. Находят среднее значение интегральной чувствительности .
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Внутренний фотоэффект и его особенности.
2. Вентильный фотоэффект (фотогальванический эффект).
3. Практические применения фотоэффекта.
Рис.1
а) б)
Рис.2
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.