Комплексная оценка качества изготовления транзисторов типа МП 40А

Министерство образования Российской Федерации.

Марийский государственный технический университет.

                                                                                              Кафедра ПиПЭВС

ОТЧЁТ

По лабораторной работе № 5                   В - 311

КОМПЛЕКСНАЯ ОЦЕНКА КАЧЕСТВА ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТРАНЗИСТОРОВ                

Выполнил: ст. группы ЗЭВС – 32У

___________________  / Шестаков С. Л. /

Проверил: профессор кафедры ПиПЭВС

____________________  / Захаров Ю. В. /

г. Йошкар – Ола

2004 – 2005 учебный год.

КОМПЛЕКСНАЯ ОЦЕНКА КА ЧЕСТВА ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТРАНЗИСТОРОВ

Целью работы является определение комплексного показателя качества изготовления транзисторов типа МП 40А.

ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

Объективная и достоверная оценка качества изделий электронной техники (ИЭТ) и радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) является одним из важных и основополагающих моментов в системе управления их качеством.

В настоящее время при оценке качества ИЭТ и РЭА довольно часто используются комплексные показатели, количественно характеризующие совокупность свойств изделия и аппаратуры в целом.

Наибольшее распространение для вычисления комплексных показателей качества получили следующие выражения:

где Q - численное значение комплексного показателя, 0 < Q < 1. При (Q=1 изделие или аппаратура обладает максимально возможным уровнем обобщенного качества, а значение (Q=0 соответствует абсолютно неприемлемому уровню обобщенного качества;

d_i - безразмерная оценка i-го единичного показателя качества, 0 < d_i < 1.

При d_i =1 имеем максимально возможный уровень качества изделия или аппаратуры по i-му единичному показателю, а значение d_i=0 соответствует абсолютно неприемлемому уровню качества изделия или аппаратуры;

β_i - коэффициент весомости i-го единичного показателя, характеризующий его важность при оценке качества изделия или аппаратуры в целом (β_i >0, причем чем больше численная величина β_i , тем важнее единичный показатель);

i=1, 2, ...к; к - число единичных показателей качества, характеризующих отдельные свойства изделия или аппаратуры.

Выражения (1), (2) и (3) являются формулами средневзвешенных арифметического, геометрического и гармонического показателей соответственно. Доказано, что оптимальным показателем, исходя из практических требований, предъявляемых к ним, является средневзвешенный геометрический показатель. Поэтому в лабораторной работе комплексная оценка качества изготовления конкретного ИЭТ - транзисторов типа МП 40А осуществляется на основе выражения (2).

Единичными показателями качества транзистора МП 40А выбраны три параметра (к=3):

1)  коэффициент усиления по току при включении транзистора

по схеме с общим эмиттером р₀;

2) выходная проводимость h₂₂ > измеряется в единицах проводимости "μS" (микросименс);

2)  обратный ток коллектора I_КО ,  измеряется в  единицах  "μА" (микроампер).

Так как все три параметра имеют одинаковую степень важности для потребителей транзисторов МП 40А, то их коэффициенты весомости равны друг другу, а их численное значение примем равным 1, т.е.

β ₁ = β₂ = β₃ = 1.                                                                                              (4)

Тогда выражение (9) для комплексной оценки качества изготовления транзисторов МП 40А по совокупности трех параметров с учетом равенства (11) примет вид:

                                                                                      (5)

В выражении (5) d₁ - оценка параметра β₀; d₂, - оценка параметра h₂₂; d₃ -оценка параметра I_ко. Преобразование численных значений параметров β₀, h₂₂, I_ко в оценки d₁, d₂, d₃, обусловлено тем, что они имеют разную размерность и различный физический смысл, и поэтому их необходимо привести к единой системе исчисления. Такой системой является система безразмерного нормированного исчисления.