Комплексный расчет, анализ и моделирование многокаскадного усилителя, пояснительная записка, страница 17

После моделирования отдельно каскада на полевом транзисторе, очевидно, что сопротивление R₁ необходимо увеличить до значения 4.1 МОм, что бы установить нормальный рабочий режим для транзистора. После моделирования отдельно каскада на биполярном транзисторе, очевидно, что сопротивление R₄ необходимо увеличить до значения 9.7 кОм, что бы установить нормальный рабочий режим для транзистора. Назначение проектируемого устройства – усиливать сигнал на заданной полосе пропускания, получив требуемую добротность, мы выполнили это условие. При анализе работы всей схемы заметно, что каскад на биполярном транзисторе выполненный по схеме с общей базой является шунтирующим по отношению к каскаду выполненному на полевом транзисторе. Этого можно избежать, если отойти от расчетных данных и увеличить номинал резистора R3 до порядка кОм. В данной работе мы этого не выполняем. При анализе работы связанных контуров с внешне емкостной связью получены данные, что при расчетном значении С5 имеется слишком большая связь, принято решение понизить значение данного элемента до 0,05 пФ.