Информатика и выч. техника \ Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ

Расчеты параметров системного быстродействия, страница 5

3г) Значение параметров проводников металлизации и ЛЭ.

Обозначение параметра	Кристаллы		Si‑подложка МКМ	МПП ФБ
Обозначение параметра	СБИС	БИС	Si‑подложка МКМ	МПП ФБ
t_лэ, нс	0,07924	0,14891	0,14891	0,14891
R_вых, Ом	505,8489	950,5132	950,5132	950,5132
ρ₀^Al, Ом·мм	0,00003	0,00003	0,00003	0,00002
R₀,Ом/мм	287,7986	58,8148	58,8148	0,02591
C₀, пф/мм	0,3	0,3	0,3	0,15

3д) Результаты расчета параметров системного быстродействия для 3‑х вариантов конструкции устройства на основе КМОП БИС и СБИС.

Уровень компоновки i	Схемная интеграция		Max интегр.		, ЭЛЭ	Вар.1 (СБИС)
Уровень компоновки i	, ЭЛЭ		, ЭЛЭ		, ЭЛЭ	, мм	, нс	, нс	, нс	, нс	, ГГц
i = 1	10	10	14,285	2.461	2,461	0,075	0.011	0,011	0,079	0,091	11,003
i = 2	260	26	464,285	3,474	8,551	0,463	0,079	0.043	0,079	0.123	8,116
i = 3	14040	54	27857,1	4,788	40,949	3.203	0.929	0.152	0,079	0.231	4,313
i = 4	224640	16	445714,2	3,372	138,11	7,964	3.723	0.243	0,079	0.322	3,098

1 2 3 4 5 6

Скачать файл

Уважаемый посетитель!

Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).

Ссылка на скачивание - внизу страницы.