Другие предметы \ Основы радиоэлектроники и связи

Прохождение АМ-колебаний через избирательные цепи, страница 2

тогда , Ф, =6283 Ом, R₅₀=314200 Ом, R₁₀=62830 Ом.

Рис.3. Параллельный колебательный контур.

Рис.4. Изменение глубины модуляции напряжения на параллельном контуре при двух значениях добротности: и

3. Расчет двухконтурной системы

Построим зависимость относительного изменения коэффициента модуляции напряжения на конденсаторе второго контура системы двух контуров с емкостной связью от частоты модуляции для трех случаев, когда связь:

– меньше критической;

– равна критической;

– больше критической.

При том, что первый и второй контуры настроены в резонанс на несущую частоту АМ-тока. На последовательный контур огибающая выходного сигнала будет иметь вид:

а) б)

Рис.5. Изменение глубины модуляции напряжения на конденсаторе второго контура системы двух контуров с емкостной связью, когда связь меньше критической А=0,1 при двух значениях добротности: а) и б)

а) б)

Рис.6. Изменение глубины модуляции напряжения на конденсаторе второго контура системы двух контуров с емкостной связью, когда связь равна критической А=1 при двух значениях добротности: а) и б)

а) б)

Рис.6. Изменение глубины модуляции напряжения на конденсаторе второго контура системы двух контуров с емкостной связью, когда связь больше критической А=2 при двух значениях добротности: а) и б)

Схемы для проведения эксперимента, графики и осциллограммы, полученные в пакете ElectronicsWorkbench.

4. Исследование частотных характеристик последовательного контура.