Исследование характеристик логических схем процессорных устройств ЭВМ. Исследование и выбор конструктивно-топологических параметров кристаллов БИС и СБИС (приложения), страница 3

Выводы и сравнительный анализ по результатам таблиц 1 и 2:

_____________________________________________________________________________________________            __________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________                                                                                                                                                        

Приложение 1б

Лабораторная работа № 1 (1б)

1б – Исследование и выбор конструктивно-топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.

Таблица 3

          Результаты расчета конструктивно - топологических параметров кристаллов            БИС и СБИС.

Уровень компоновки,	Устройство	Интеграция		Число внешних выводов			Размер кристалла Lкр (мм)	Уровень технологии λ (мкм)	Шаг контактных площадок lкп (мм)
		Схемная Ni (ЭЛЭ)	Максимальная (с учетом эф-фективности) Nsi (ЭЛЭ)	Логиче-ских (mi)	Потенци-альных (me)	Общее число (mобщ, si)
	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	СБИС	74880	148571	547	65	612	10,99440	0,50934	0,071746
	БИС в устройстве МКМ	4680	9285	158	19	177	5,49720	1,018699	0,12413
	МКМ	+	+	+	+	+	-	-	-
	БИС в устройстве панели	+	+	+	+	+	+	+	+
	Панель	+	+	+	-	-	-	-	-