обратной связью характеризуется большим входным сопротивлением и меньшей входной емкостью, что позволяет улучшить параметры предшествующего каскада. Наличие отрицательной обратной связи оказывает благоприятное влияние на стабильность работы каскада. Эквивалентное сопротивление: Тогда сопротивление R, включаемое в цепь эмиттера, вычисляется по формуле: Ближайший номинал R=2 Ом. Время установления такого каскада с отрицательной связью, можно определить по следующим формулам. Причем отрицательная обратная связь позволяет несколько уменьшить время установления, по сравнению с некорректированным усилителем, даже если тот имеет такой же коэффициент усиления. , |
||||||
НГТУ XXX.XXX.03 |
лист |
|||||
8 |
||||||
№ |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
, гдемонтажная емкость Пересчитаем емкость коллектора в средней точке: Эквивалентная постоянная времени: Время установления выходного каскада: Для выходного каскада важно чтобы время установления было меньше чем Как видно, полученное время установления устраивает. 2.5 Расчет температурной стабилизации рабочей точки На нестабильность рабочей точки оказывают влияния следующие параметры , , . В итоге необходимо найти сопротивления и , которые и задают положение рабочей точки. Изменение обратного тока коллектора можно определить по графику зависимости от температуры, который приведен на рис. 4. Для нахождения необходимо определить максимальную и минимальную температуру перехода транзистора - ,. Найдём постоянную мощность, рассеиваемую на транзисторе. Для этого понадобится значение скважности импульсов Q = 1/Ftu = 125: Зная общее тепловое сопротивление Rпс=2.5 ºС/Вт, определим максимальную и минимальную температуру перехода. Мощность: Вт tn max = tc max + RпсPк = 40+2.5·3.875=49.688 0 С tn min = tn max – tc max + tc min = 49.688 - 80=-30.312 0 C |
||||||
НГТУ XXX.XXX.03 |
лист |
|||||
9 |
||||||
№ |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Определим изменение напряжения база эмиттер в зависимости от изменения температуры. В Так как транзистор в выходном каскаде достаточно мощный, то определим по графику рис. 3. Рис 3. Зависимость от температуры. Необходимо определить входное сопротивление стабилизации рабочей точки транзистора (обозначим через ). Предварительно нужно найти и : А А N - коэффициент нестабильности, для выходного каскада его принимают равным N=0.15. |
||||||
НГТУ XXX.XXX.03 |
лист |
|||||
10 |
||||||
№ |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Теперь, подставив все вычисленные значения, получаем: Теперь определим и : Ближайший номинал Округлим до номинала: Определим ток делителя, который не должен превышать ток коллектора в рабочей точке:
Как видно, необходимое условие выполняется. 2.6 Входные параметры выходного каскада Определим входную емкость и входное сопротивление выходного каскада. Т.к. каскад охвачен активной отрицательной обратной связью, то входные параметры будут вычисляться по следующим формулам:
В результате всех вычислений, получили параметры выходного каскада:
|
||||||
НГТУ XXX.XXX.03 |
лист |
|||||
11 |
||||||
№ |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Рис 4. Схема выходного каскада.. 3. Расчет предварительных каскадов. 3.1 Выбор транзистора в предварительных каскадах. Выбор транзистора в предварительных каскадах осуществляется по таким же критериям как и выбор транзистора в выходном каскаде: 1. По граничной частоте: Гц. 2. По допустимому напряжению на коллекторе: - коэффициент запаса по напряжению 3. По допустимому току коллектора: - коэффициент запаса по току Необходимо, чтобы ток в рабочей точки предварительных каскадов был меньше тока в рабочей точке в выходном каскаде. Как видно, это требование выполняется. По таким критериям подходит транзистор ГТ320А. Общие сведения: транзисторы германиевые, сплавно-диффузионные p-n-p. Выпускаются в металлическом герметическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса не более 2,2 г. |
||||||
НГТУ XXX.XXX.03 |
лист |
|||||
12 |
||||||
№ |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Основные электрические параметры транзистора ГТ320А
Таб 3 Основные электрические параметры ГТ320А 3.2 Расчет g-параметров транзистора. Выберем положение рабочей точки по середине выходных статических характеристик. Такой выбор объясняется упрощением расчетов: чтобы каждый раз не пересчитывать g-параметры мы выбираем такое положение рабочей точки, что транзистор работает и на открывание и на закрывание. g-параметры вычисляются при помощи приращений (с некоторой погрешностью) на выходных и входных статических характеристиках.
Рис 5. Выходные статические характеристики ГТ320А |
||||||||||||||||||||||||||
НГТУ XXX.XXX.03 |
лист |
|||||||||||||||||||||||||
13 |
||||||||||||||||||||||||||
№ |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Рис 5. Входные статические характеристики ГТ320А. Координаты рабочей точки: Для нахождения g-параметров используем приращения (с некоторой погрешностью) рабочей точки на выходной и входной статических |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.