ВОПРОСЫ
для подготовки к экзамену по курсу «Физическая химия
газотранспортных процессов»
1. Базовые элементы различных видов ИМС (полупроводниковые, гибридно- пленочные) и физические структуры, лежащие в их основе. Примеры реализации активных и пассивных элементов на их основе .
2. Основные технологические маршруты изготовления ИМС, типовые технологические процессы- краткая характеристика (МОП- и биполярная технологии).
3. Основные термодинамические и газодинамические характеристики систем Г-ТТ, Ж-ТТ, ТТ-ТТ. (Температура, концентрация реагентов, общее давление в системе и парциальные давления реагентов в ПГС, объемная и линейная скорости потока ПГС). Системы с постоянной и переменной скоростью- примеры и объяснение.
4. Кинетика гетерогенных химических реакций (ХР). Скорость ХР, лимитирующие стадии процесса. Кинетическая и диффузионная области протекания ХР, зависимость от газодинамических и термодинамических параметров системы, экспериментальное определение областей (на примере эпитаксии).
5. Диффузионные процессы в газах и твердых телах, их роль в кинетике гетерогенных реакций (на примере эпитаксии и термического окисления кремния).
6. Единицы измерения, используемые в технологии микроэлектроники: концентрация в твердой, жидкой газообразной фазах ( молекулярная, объемная, массовая), потока, скорости осаждения пленок . Связь между различными единицами измерения (см/c, мкм/мин, ат/см2.с, г/см2.с).
7. Полупроводниковые материалы (монокристаллы германия, кремния, арсенида галлия). Сравнительный анализ электрофизических свойств, технология получения монокристаллов, монокристаллические подложки полупроводниковых ИМС.
8. Эпитаксия. Схема процесса и основные реакции. Диффузионная и кинетическая области (экспериментальное определение, оценка параметров химической реакции, диффузионной составляющей). Прямая и обратная реакции.
9. Эпитаксия. Получение легированных пленок (легированные растворы, два испарителя, газовое легирование).
10. Технология приготовления сверхразбавленных растворов. Методика расчета, корректировка растворов.
11. Способы обеспечения заданной концентрации реагентов в парогазовой смеси (ПГС). Испарители. Методика расчета концентрации реагентов в ПГС и ее регулирование.
12. Локальная диффузия. Первый и второй закон Фика. Решение уравнения в общем виде (методом разделения переменных). Сформулировать начальные и граничные условия для диффузии из постоянного и ограниченного источника.
13. Двухстадийная диффузия (принцип, решаемые проблемы, достоинства). Практика осуществления диффузии.
14. Ионное легирование- физические основы и схема процесса. Особенности получаемых структур (примесный профиль и его выравнивание, радиационные дефекты).
15. Сравнительный анализ структур, получаемых диффузией, эпитаксией, ионным легированием. Оценка дополнительных возможностей при комплексном использовании (на примерах).
16. Диэлектрические пленки в планарной технологии. Требования к электрофизическим характеристикам в зависимости от применения (для маскирования, для защиты, под затвор).
17. Термическое окисление кремния в сухом и влажном кислороде. Кинетика процесса (диффузионная и кинетическая область, зависимость скорости роста от времени, факторы, определяющие более высокую скорость роста во влажном кислороде).
18. Методы осаждения пленок SiO2, Si3 N4 из газовой фазы. Двухслойные диэлектрические пленки, их достоинства.
19. Сравнительный анализ свойств пленок, получаемых разными способами. Низкотемпературные методы нанесения диэлектрических пленок.
20. Методы изоляции элементов ИМС ( p-n, КСДИ, изопланар, КНС). Сравнительный анализ.
21. Методика отработки технологического процесса с помощью статистического моделирования (на примере процесса термического окисления кремния).
22. Методология оптимизации технологического процесса (на примере эпитаксии).
23. Фотолитография: маршрут и типовые технологические процессы (краткая характеристика). Негативный и позитивный процессы. Проекционное и контактное экспонирование.Совмещение фотошаблона и подложки.
24. Технологический маршрут изготовления фотошаблонов, их разновидности. Фотошаблоны для контактной и проекционной ф.литографии.
25. Ограничение разрешающей способности фотолитографии (дифракция, клин травления). перспективные технологические процессы: электроно-, ионо-, рентгенолитографии. Краткий сравнительный анализ, ограничения, проблемы.
26. Классическая схема промышленной вакуумной установки и ее анализ. Методы получения низкого и высокого вакуума (критерии) . Методы измерения (термопарные и ионизационные датчики). Практические способы уменьшения давления остаточных газов.
27. Основные характеристики вакуумной системы: предельный вакуум, скорость откачки, пропускная способность, натекание и его влияние на характеристики и рабочий вакуум.
28. Физические основы и основные характеристики вакуум-термического испарения (вакуум и его влияние на параметры напыления и качество пленки, скорость испарения-скорость напыления, их зависимость от температуры испарения, геометрии системы испаритель- подложка).
29. Физические основы метода катодного распыления (КР). Зависимость скорости напыления и качества пленки от технологических режимов (разрядный ток, давление рабочего газа, рабочее напряжение). Требования к давлению остаточных газов.
30. Практические схемы катодного распыления на постоянном токе (диодная и трехэлектродная), сравнительный анализ. Реактивное катодное распыление.
31. ВЧ-система катодного распыления. Напыление проводящих, резистивных и диэлектри ческих пленок.
32. Особенности технологии ВТИ при напылении проводящих, резистивных и диэлектрических пленок. Влияние режимов на структуру и электрофизические характеристики пленок.
33. Напыление пленок тугоплавких металлов и сложного состава.
34. Сборочные операции. Проволочные и беспроволочные методы монтажа. Герметизация, контроль герметичности. Автоматизация сборочных операций.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
