Полупроводниковый резистор, страница 2

    5. Расчет ширины запрещенной зоны в исследуемом полупроводнике по графику lnR = f(1/T)

                                Eg=------------- эВ = . . .эВ

Значение Eg, полученное на ЭВМ:

                                Eg =  . . .эВ

    6. Оценка погрешностей

       6.1. Среднее кавдратическое отклонение

                               S<Eg> = . . .эВ

      6.2. Граница погрешности

                           Eg = tS<Eg> = . . .эВ.

    7. Окончательный результат: Eg = <Eg> Eg = (......) эВ, P=0.95

    7. Выводы (проанализировать полученную вольтамперную характеристику полупроводникового резистора, сравнить ширину запрещенной зоны с табличным значением).

______________

*Заполняются при определении сопротивления полупроводника по его

  вольтамперной характеристике

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

1. Определение температурной зависимости сопротивления полупроводника по его вольтамперной харктеристике

Метод основан на использовании закона Ома I = U/R. При снятии врольтамперной харктеристики при комнатной температуре по достижении в цепи некоторого значения напряжения наблюдаются от линейной зависимости I = I(U). Эти отклонения обусловлены тем, что при достаточно больших токах начинает сказываться выделение тепла самим образцом, что приводит к росту его температуры и, как следствие, к изменению сопротивления. При включении нагревателя температура образца определяется, в основном, мощностью нагрева, вклад же количества тепла, выделяемого самим образцом, оказывается незначительным. Это дает возможность использовать закон Ома для определения сопротивления полупроводника при разных температурах.

Порядок выполнения измерений

1. Установить напряжение в цепи полупроводника 2 В.

2. Записать значения напряжения и тока при комнатной температуре в таблицу 2.

3. Включить нагреватель и по мере нагрева полупроводника фиксировать значения напряжения (U) и тока (I) в цепи с интервалом 4-6 оС.

4. По достижении t = 70 oC выключить нагреватель.

5. Для каждого значения температуры рассчитать сопротивление полупроводника по формуле: R = U/I.

2. Определение температурной зависимости сопротивления полупроводника с помощью переносного моста Р 353.

Переносной мост Р 353 предназначен для измерения сопротивления проводников в условиях постоянного тока.

Порядок выполнения измерений

1. Включить цепь полупроводникового сопротивления

2. Подключить мост постоянного тока к клеммам полупроводника

3. Нажать кнопку на передней панели моста постоянного тока и вращением лимба установить стрелку прибора в нулевое положение. Отсчитать значение сопротивления полупроводника по шкале прибора при комнатной температуре и записать в таблицу 2.

4. Включить нагреватель и по мере нагрева полупроводника фиксировать значение его сопротивления с интервалом 4-6 оС.

5. По достижении t = 70 oC выключить нагревате