Структура стримера. Стримерный канал как длинная линия. Реакции в стримерном канале, страница 2

Прежде всего перечислим используемые параметры. Головка стримера является хорошим проводником благодаря высокой концентрации электронов, поэтому напряженность поля высока только в тонком слое на фронте, где и происходит почти вся ионизация. Напряженность поля на фронте обозначим Em. Частота ионизации при данной напряженности – νm. Концентрация электронов перед фронтом составляет n0, она образуется благодаря фотоионизации. Концентрация электронов сразу за фронтом составляет nm. Эта же величина характеризует концентрацию положительных ионов за фронтом, поскольку фронт движется гораздо быстрее заряженных частиц, и нейтральность нарушается лишь достаточно далеко от него – ионы  и электроны не успевают разойтись. Скорость распространения фронта – Vs.

                                                                    (6)

Здесь k – показатель степени в аппроксимационной формуле:

                                                     

Аппроксимация делается в окрестности Em. Наибольшее распространение получил метод, в котором принимается, что при движении стримера поддерживается постоянной напряженность поля на фронте, более того, эта величина есть константа для любых быстрых стримеров в воздуха при атмосферном давлении. Значение Em соответствует точке перегиба зависимости частоты ионизации от напряженности νi(E) Предполагаемый механизм процесса описан в [1, стр. 43].

Для воздуха при атмосферном давлении Em≈150-170 кВ/см, νm≈1,1∙1011, k≈2.5, n0≈1011-1012 1/м3.

Радиус головки связан с напряженностью на фронте соотношением:

                                                                        (7)

Здесь U0(x) – невозмущенное поле, то есть потенциал, создаваемый электродами в данной точке в отсутствие стримера. Плотность плазмы за передним фронтом nm определяется соотношением:

                                                                                        (8)

Здесь qe – заряд электрона, μe – подвижность электронов при напряженности Em. μe≈2,7∙10-2 м2/(В∙с), отсюда получаем nm≈2.2∙10-20 1/м3. Эта величина, как и напряженность поля на фронте, поддерживается постоянной при распространении стримера.

Учитывая (6)-(8), мы получаем, что радиус головки стримера и ее скорость однозначно определяются потенциалом Um.

                                          (9)

Потенциал головки стримера Um определяется процессами в канале. Если бы канал был идеально проводящий, головка находилась бы под тем же потенциалом, что и катод, и по мере продвижения к аноду скорость движения увеличивалась. Стример не затухал бы. Однако канал обладает конечной проводимостью, и на нем падает некоторое напряжение, этот процесс описан в следующем пункте.

Реакции в стримерном канале.

Помимо изменения потенциала, модель учитывает изменение концентраций заряженных частиц в канале. При присоединении нового участка к «цепи», модулирующей стример, в этом участке задается начальная высокая концентрация положительных ионов и электронов в соответствии с формулой (8). В рамках одного временного шага концентрации ионов и электронов считаются неизменными. Между временными шагами производится корректировка значений концентраций в узлах.

Поле в канале стримера поле ослаблено, ионизацией можно пренебречь, концентрация ионов падает в результате прилипания и электрон-ионной рекомбинации. Также идет ион-ионная рекомбинация. В данной модели мы пренебрегаем изменением концентраций в результате переноса заряда вдоль канала, считая, что за время жизни стримера заряды не успевают уйти на значительное расстояние. Тогда динамика концентраций в данной точке описывается уравнениями:

                                                    (10)

Частота прилипания νatt в принципе зависит от напряженности поля, в модели использовано характерное для не очень высоких полей значение νatt=9∙107 1/с [2, стр. 81]. В качестве константы электрон-ионной рекомбинации cei взято характерное для диссоциативной рекомбинации при температурах электронов 1 эВ и ниже значение cei=2,4∙10-13 м3/с [2, стр. 78], для ион-ионной рекомбинации характерное значение 
cii=2∙10-13 м3/с[2, стр. 79].

В итоге распределение потенциала в канале рассчитывается в уравнении (5), которая дополняется соотношениями (4) и (3) для вычисления погонных емкостей и сопротивлений. Также решаются уравнения для концентраций заряженных частиц (10), которые необходимы для расчета погонного сопротивления канала. Увеличение длины линии описано соотношением (9).