Исследование параметров полупроводникового усиления

Страницы работы

Содержание работы

Лабораторная работа №1

Суровицкого  Л.В.

« Исследование параметров полупроводникового усиления ».

Исследование зависимостей параметров усиления полупроводникового усиления.

I.         Измеряем to транзистора

           Находим сопротивление магазина,

           при котором  id=0 . По графику

           зависимости  Rmax  от  to измеряем to.

          Rmax=(1220±0.6) Ом    ;  T=24oC

II.         При T=24oC  измеряем  ik

       Устанавливаем En »-8 В, а напряжение между эмиттером и 

       коллектором »5 В.

       En=-8.043 В

       Rk=-4.01 кОм

       ik=1мА

III.        Измеряем ток базы. Вычисляем статистический коэффициент

        усиления      транзистора по формуле:  bст=ik / id

           id=43 мкА; bст=23,25

IV.        Измеряем переменное Uвх. Вычисляем динамический коэффициент

        усиления.

        Устанавливаем частоту  f=1 кГц

        Uвх=3мВ; Kус=363.

V.         Определяем, при каком max Uвх, выходной сигнал ещё остаётся

        Синусоидальным.

        Uвх м=1мВ

        K=115

VI.       Определяем Rвх

         Rг=1 кОм

         Измеряя  Uвых  при двух  положениях

             резистора, и вычисляем Uвх по формуле :

        Rвх= Rг/(U1/U2-1)           

1)  резистор закорочен:  U1 =110,3 мВ

2)  резистор включен:     U2 =50,2 мВ

        Rвх =833,3 Ом

VII.      Измеряем зависимости от to ,строим графики для :                                          


             Из графиков видно, что с ростом температуры - bст увеличивается,

             Rвх увеличивается, а Uвх м  и  Kус остаются постоянными.

Вывод: В ходе этой работы, я исследовал параметры полупроводникового усилителя и построил графики зависимости bст , Rвх , Kус , Uвх м  от температуры.

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Физика
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
77 Kb
Скачали:
0