Исследование параметров полупроводникового усиления

Лабораторная работа №1

Суровицкого  Л.В.

« Исследование параметров полупроводникового усиления ».

Исследование зависимостей параметров усиления полупроводникового усиления.

I.         Измеряем t^o транзистора

           Находим сопротивление магазина,

           при котором  i_d=0 . По графику

           зависимости  Rmax  от  t^o измеряем t^o.

          Rmax=(1220±0.6) Ом    ;  T=24^oC

II.         При T=24^oC  измеряем  i_k

       Устанавливаем E_n »-8 В, а напряжение между эмиттером и 

       коллектором »5 В.

       E_n=-8.043 В

       R_k=-4.01 кОм

       i_k=1мА

III.        Измеряем ток базы. Вычисляем статистический коэффициент

        усиления      транзистора по формуле:  b_ст=i_k / i_d

           i_d=43 мкА; b_ст=23,25

IV.        Измеряем переменное U_вх. Вычисляем динамический коэффициент

        усиления.

        Устанавливаем частоту  f=1 кГц

        U_вх=3мВ; K_ус=363.

V.         Определяем, при каком max U_вх, выходной сигнал ещё остаётся

        Синусоидальным.

        U_{вх м}=1мВ

        K=115

VI.       Определяем R_вх

         R_г=1 кОм

         Измеряя  U_вых  при двух  положениях

             резистора, и вычисляем U_вх по формуле :

        R_вх= R_г/(U₁/U₂-1)           

1)  резистор закорочен:  U₁ =110,3 мВ

2)  резистор включен:     U₂ =50,2 мВ

        R_вх =833,3 Ом

VII.      Измеряем зависимости от t^o ,строим графики для :                                          

             Из графиков видно, что с ростом температуры - b_ст увеличивается,

             R_вх увеличивается, а U_{вх м}  и  K_ус остаются постоянными.

Вывод: В ходе этой работы, я исследовал параметры полупроводникового усилителя и построил графики зависимости b_ст , R_вх , K_ус , U_{вх м}  от температуры.