Изучение свойств выпрямительных полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого) и кремниевого стабилитрона, измерение их вольтамперных характеристик и определение основных параметров

СПб ГУАП

Кафедра № 25

Рейтинг за работу: __________________________.                                              

Преподаватель:                                                                                                        Опарин В.В.                                   

Отчёт

О лабораторной работе № 3 по курсу

«Электроника»

«Исследование полупроводниковых диодов»

Работу выполнил

студент группы № 2051                                                                                          Абрамов Д.А.

С-ПЕТЕРБУРГ

2002

1. Цель работы.

Цель работы: изучение свойств выпрямительных полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого) и кремниевого стабилитрона, измерение их вольт-мперных характеристик и определение основных параметров.

2. Схемы исследования.

Схема измерения прямой ветви вольт-мперной характеристики германиевого и кремниевого диодов и стабилитрона:

Схема измерения обратной ветви вольт–амперной характеристики стабилитрона:

Схема измерения вольт-амперной характеристики туннельного диода:

3. Результаты измерений и вычислений.

ВАХ для прямой ветви с кремниевым диодом.

Таблица №1

Iпр, мА	0	10	20	30	40	80	120	160	200	240	280
Uпр, В	0	0,54	0,56	0,58	0,59	0,61	0,63	0,63	0,64	0,66	0,66

Определение дифференциального сопротивления в точке при Iпр=200 мА.

ВАХ для прямой ветви с кремневым стабилитроном.

Таблица №2

Iпр, мА	0	10	20	30	40	80	120	160	200	240	280
Uпр, В	0	0,52	0,65	0,66	0,67	0,68	0,69	0,7	0,71	0,72	0,72

ВАХ для обратной ветви с стабилитроном.

Таблица №3

U2, B	0	0,5	1	1,5	2	2,5	3	3,5	4	4,5	5
U1, B	0	5,3	6	6,5	7,1	7,7	8,2	8,7	9,3	9,8	10,4
Iобр, мА	0	0,98	1,96	2,94	3,92	4,90	5,88	6,86	7,84	8,82	9,80
Uобр, B	0	4,8	5	5	5,1	5,2	5,2	5,2	5,3	5,3	5,4

Нагрузочная характеристика построена по точкам на осях

формуле , где =-8 В и R=510 Ом.

Iобр, мА	-15,69	0
Uобр, B	0	-8

Определение дифференциального сопротивления

ВАХ туннельного диода.

U1, B	0	0,05	0,1	0,15	0,2	0,25	0,3	0,35	0,4	0,45
U2, B	0	0,02	0,07	0,13	0,18	0,22	0,27	0,31	0,36	0,39
I1, мА	0	4,4	4,3	4,7	5	6	7,1	8,4	11	14,8
Iд, мА	0	4,4	4,3	4,7	5	5,99	7,09	8,39	10,99	14,79

 Определение минимального дифференциального сопротивления на

Падающей ветви ВАХ туннельного диода.