Изучение принципа действия, измерение статических характеристик биполярных транзисторов для схем включения с обшей базой и общим эмиттером

1.  Цель работы:

Изучение принципа действия, измерение статических характеристик биполярных транзисторов для схем включения с обшей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ), определение их основных параметров

2.  Схема лабораторной установки:

рис. 1 схема для измерения статических характеристик БПТ включенного по схеме с ОБ

рис. 2 схема для измерения статических характеристик БПТ включенного по схеме с ОЭ.

3.  Расчеты и построения:

Таблица 1

	Iэ мА	0	0,2	5	10	15	20	25
Uкб=0В	Uэб В	0	0,54	0,72	0,79	0,85	0,9	0,95
Uкб=4В		0	0,6	0,77	0,82	0,85	0,89	0,9
Uкб=8В		0	0,58	0,7	0,76	0,8	0,84	0,88

Таблица 2

	Uкб В	0	1	2	3	4	5	6	7	8
Iэ=5 мА	Iб мА	5	5	5	5	5	5	5	5	5
Iэ=10 мА		10	10	10	10	10	10	10,1	10,2	10,4
Iэ=15 мА		15	15	15	15,1	15,2	15,2	15,3	15,4	15,5
Iэ=20 мА		20	20	20	20,1	20,2	20,2	20,3	20,4	20,5
Iэ=25 мА		25	25	25	25,1	25,4	26	26,1	26,4	27

Таблица 3

	Iб мА	0	0,01	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8
Uкэ=0В	Uбэ В	0	0,5	0,56	0,6	0,61	0,62	0,65	0,66	0,66	0,66
Uкэ=2В		0	0,62	0,68	0,71	0,73	0,75	0,75	0,76	0,77	0,78
Uкэ=8В		0	0,61	0,68	0,71	0,73	0,74	0,75

Таблица 4

	Uкэ В	0	1	2	3	4	5	6	7	8
Iб=0,1 мА	Iк мА	0	5	6	6	6	6	6	6	6
Iб=0,2 мА		0	9,5	10	10	10	10	10	10	10
Iб=0,3 мА		0	13	13,4	13,5	13,6	13,7	14	14	14
Iб=0,4 мА		0	18	18,4	18,6	19	19,2	19,4	19,6	20
Iб=0,5 мА		0	20	21	22	23	24	24	24	24

Графики:

Вывод:

Изучил принцип действия, измерил статические характеристики биполярных транзисторов для схем включения с обшей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ), определил их основные параметры.