где F1(j, Δ) – диаграмма направленности элемента Гюйгенса.
В плоскости Е выражение для F1(j) имеет вид:
, (2)
а в плоскости Н
(3)
Здесь ½Г½ - модуль коэффициента отражения от открытого конца рупора, который при расчете можно принять равным нулю. Так как обычно у Е-секториального рупора LЕ >> l, а у Н-секториального рупора LН >> l, то множители, учитывающие направленные свойства элемента Гюйгенса в Е и Н плоскостях принимают вид:
F1(j) = 1 + cos j - для плоскости Е;
F1(D) = 1 + cos D – для плоскости Н.
Для удобства расчетов раскрыв рупора как излучающую поверхность можно представить в виде непрерывной плоскостной решетки, состоящей из элементов Гюйгенса.
Множитель Fс(j,D), определяющий направленные свойства этой решетки, зависит от распределения амплитуды и фазы поля в раскрыве рупора. Для достаточно длинного рупора с относительно малыми размерами раскрыва, поле в раскрыве можно в первом приближении считать синфазным.
Распределение амплитуды поля в раскрыве рупора такое же, как в сечении питающего волновода. Для основного типа волны Н10 распределение поля в плоскостях Е и Н показано на рис. 2.
Как видно из рис. 2, в плоскости Е раскрыва рупора распределение амплитуды равномерное, и множитель решетки без учета фазовых искажений определяется по формуле:
(4)
В плоскости Н амплитуда распределяются по закону , т.е. поле в центре раскрыва максимально, а на краях равно нулю. В соответствии с этим множитель решетки для плоскости Н:
(5)
Максимальные значения множителя системы в плоскости Е
(формула 4) соответствуют значениям аргумента синуса в числителе кратным :
, (6)
где m = 0,1,2,3…, а минимальные значения соответствуют значениям аргумента синуса кратные p :
(7)
Соответственно, для плоскости Н максимумы множителя системы (5) соответствуют условию :
(8)
а минимумы – условию
(9)
Следует отметить, что уменьшение амплитуды поля к краям раскрыва рупора в плоскости Н ведет к расширению основного лепестка диаграммы направленности, что объясняется уменьшением эквивалентного раскрыва в этой плоскости. При этом однако значительно снижается интенсивность бокового излучения. При синусоидальном распределении амплитуд уровень бокового лепестка составляет примерно 2%, а при равномерном распределении – 7% от максимального уровня основного лепестка.
Из сказанного следует, что, если рупор имеет квадратный раскрыв (LЕ = LН), то в плоскости Е диаграмма направленности будет уже, чем в плоскости Н, а уровень боковых лепестков в плоскости Е больше, чем в плоскости Н.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.