Исследование характеристик силовых полупроводниковых приборов, страница 2

1.2. Задание 1

Исследование характеристик тиристора

1,Подключить к клеммам Х1-Х4 испытуемый тиристор VS1.

2.  Снять и построить статическую вольт-амперную характеристику це­пи управления тиристора Iy=f(Uy).

3.  Определить значения отпирающего тока управления Iу.о и отпи­рающего напряжения управления Uу 0.

4.     Снять и построить прямую ветвь классификацией вольт-ампернойной характеристики тиристора Iа = f(Uа)   в открытом состоянии.  

Зарисовать с экрана осциллографа прямую ветвь динамической вольт-амперной характеристики тиристора в открытом состоянии iа= f(uа) и кри­вые анодного тока        iа = f(wt) и напряжения иа= f(wt) при максимальном анодном токе.

5. Определить импульсное напряжение в открытом состоянии, значения порогового напряжения U0 и дифференциального сопротивления Rд.

6.  Снять и построить прямую и обратную ветви классификационной
Iа.ср = f(Uа max) и  статической   Iа.ст =(Uа ст)   вольт-амперных характеристик тиристора в закрытом состоянии при следующих значениях тока управления Iy= 0;

В классификационной схеме зарисовать с экрана осциллографа форму кривых напряжения uа = f(wt), прямых и обратных токов утечки и = f(wt) при Iу=0.9 Iуо и максимально-возможных значениях анодного напряжения.

7. Определить класс тиристора и значения прямого (Iут.пр) и обратного (Iут.обр) токов утечки.

8.  Определить значение тока удержания тиристора Iуд