Велечина потужності, що віддається транзисторами одного плеча в безтрансформаторному ПП, розраховується :
Рт.пл. = Рвих / 2 = 4/2 = 2 Вт
1.3 Визначення типу транзисторів ПП
Структурна схема ПП, зоображена на рис.1:
 |
Так як VT4, VT5 є потужними транзисторами одного типу провідності, і сумісно з VT2, VT3 різної провідності, являють собою схеми емітерних повторювачів, що працюють з відсічкою колектор-ного струму, близькою до 90 о, тому вибирати ці транзистори необ-хідно лише для одного плеча, вважаючи їх ввімкненими за схемою ¢¢спільний колектор (СК)¢¢. VT1, на якому зібраний каскад поперед-нього підсилення з ¢¢СЕ¢¢, працює в пежимі класу А.
Визначимо максимальну потужність втрат на колекторі VT4, VT5:
Рк.мах = Рт.пл.(1-η)/η = 2(1 - 0.45)/0.45 = 2,45 Вт
Визначимо напругу живлення ПП та амплітуду колекторного струму Ік :
Ек =2(
+ Uзал ) = 2(
+ 1 ) =
13,31 В
Ек < 0,8*Uke max доп
13,31 < 0,8*80=64 В
За даними значень, розрахованих вище – обираємо транзистор для кінцевого каскаду підсилення [ 4 ] КТ817Г зі слідуючими пара-метрами:
Рк.мах.доп = 25 Вт; Uке мах доп = 80 В; Ік мах доп = 3 А; h21е = 25;
fгр =3 МГц; So= 350 мА/В; Uзал = 1…3 В.
Перевіримо транзистор по струму:
Ік.мах = 2Рвих /( Ек/2 - Uзал ) = 2*4/(13/2 – 3) = 1,45 А < Ік мах доп = 3 А
Для того, щоб визначити VT2 та VT3, визначимо коефіцієнт підсилення по потужності каскаду на VT4, VT5. Так як він зібраний за схемою ¢¢СК¢¢, то :
Кр = 0.7* h21е = 0.7*20 = 14 або 11.5 дБ,
а відповідно вхідна потужність цього каскаду :
Рвх = Рвих.пл / Кр = 2/14 = 0.14 Вт
Оскільки VT2 та VT3 працюють з відсічкою колекторного струму, то потужність розсіювана на колекторі кожного із них, буде визначатися:
Рк = (1,2…1,5)Рвх = 1.3*0.14 = 0,182 Вт
Амплітуда колекторного струму повинна перевищувати значення імпульсу базового струму VT4, VT5 приблизно у 2…3 рази:
Іб мах = Ік мах доп / h21е = 1,45/20 = 0.072 А
Виходячи з приведених обрахунків, в якості VT2, VT3 використовуємо компламентарну пару транзисторів [ 4 ] КТ814В та КТ815В з параметрами :
Рк.мах.доп = 10 Вт; Uке мах доп = 40…100 В; Ік мах доп = 1.5 А; h21е = 40;
fгр =5 МГц; fh21б = 8 Мгц; So= 200 мА/В.
Коефіцієнт підсилення по потужності такого каскаду, максимальний імпульс базового струму та велечина вхідної потужності обраховується:
Кр = 0.7* h21е = 0.7*40 = 28 або 14.5 дБ;
Іб мах = 2*Іб мах vт4 / h21е = 2* 0.072/40 = 3,63 мА;
Рвх = Рвих.пл / Кр = 0.14/28 = 5 мВт.
Оскільки VT1 працює в режимі класу А, його потужність, розсіювана на колекторі, повинна бути в 8…10 раз більше вхідної потужності, а колекторний струм у 2…4 рази більше за вхідний струм VT2, VT3, тобто:
Рк = 9*Рвх = 9*0.019 = 0.19 Вт = 190 мВт;
Ік мах = 3*Іб мах = 3*6,63 = 10,8 мА.
Виходячи з отриманих результатів, використовуючи [4], вибираємо транзистор КТ503А, з параметрами:
Рк.мах.доп = 500 мВт; Uке мах доп = 25…80 В; Ік мах доп = 300 мА;
h21е = 40…120; fгр =5 МГц; So= 0.7 мА/В.
1.4 Визначення загального коефіцієнта підсилення каналу за потужністю
Кр.заг.(дБ) = 10 lg (Рвих *а1*а2*а3*а4/Рдж),
де Рдж – потужність джерела сигналу, Вт;
Рдж = U2 мах вх /2Rвих дж
в якості джерела збудження використовуємо універсальну магнітну головку типу ¢¢ЗД24Н¢¢, яка має параметри:
Rвих дж = 120 Ом; Uвих = 0.5…1 мВ ,а
звідси Рдж = U2 мах вх /2Rвих дж = (0.001)2/2*120 = 4*10-9 Вт
Враховуючи високі вимоги до частотних та неленійних спотворень підсилювача, охопимо ПП з деякою кількістю попередніх каскадів підсилення - від¢ємним зворотнім зв¢язком (ВЗЗ), велечину якого виражемо через значення поправочного коефіцієнта:
а1 = А12 = 32 =9,
також потрібно врахувати запас підсилення 20 дБ, що враховує вплив регуляторів тембра на коефіцієнт підсилення по потужності:
а2 = А22=4,
для забезпечення запасу по підсиленню з метою корекції частотної характеристики підсилювача, враховуємо:
а3 = 20 дБ або 100 раз.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.