Польовий транзистор з керуючим p-n переходом і n-каналом (№ 1 паралельна ВЧ-корекція)

Польовий транзистор з керуючим p-n переходом і n - каналом (№1 паралельна ВЧ-корекція)

; 

;   

Задамося:   

Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  . Задамося

 

Польовий транзистор з індукованим каналом n-типу (№2 паралельна ВЧ-корекція)

; 

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;  

Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  . Задамося

Польовий транзистор з вбудованим каналом n-типу (№3 паралельна ВЧ-корекція)

 

; 

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;  

Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  . Задамося

Біполярний транзистор (№4 паралельна ВЧ-корекція)

;  Приймемо:

; 

; 

Задамося:  

Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  . Задамося

Приймемо: Rвх.тр.= ∞;  

; 

Польовий транзистор з керуючим p-n переходом і n - каналом (№5 послідовна ВЧ-корекція)

 

; 

;   

Задамося:  

 Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  .

;   =>   

 

Польовий транзистор з індукованим каналом n-типу (№6 послідовна ВЧ-корекція)

; 

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;  

 Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  .

;   =>   

Польовий транзистор з вбудованим каналом n-типу (№7 послідовна ВЧ-корекція)

 

; 

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;  

 Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  .

;   =>   

 

Біполярний транзистор (№8 послідовна ВЧ-корекція)

;  Приймемо:

; 

; 

Задамося:  

Приймемо: Rвх.тр.= ∞;  

; 

 Випадок оптимальної корекції, коли m=0,414.  .

 ;   =>

Польовий транзистор з керуючим p-n переходом і n - каналом (№9 витокова ВЧ-корекція)

 

;   

Задамося:

 - Задамося

;   ;   

;   

;  

 

Польовий транзистор з індукованим каналом n-типу (№10 витокова ВЧ-корекція)

; 

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;

 - Задамося

;   ;   

;   

;  

Польовий транзистор з вбудованим каналом n-типу (№11 витокова ВЧ-корекція)

 

; 

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;  

 - Задамося

;   ;   

;   

;  

 

Біполярний транзистор (№12 емітерна ВЧ-корекція)

;  Приймемо:

; 

; 

Задамося:  

Приймемо: Rвх.тр.= ∞;

;

 - Задамося

;   ;   

;   

;  

Польовий транзистор з керуючим p-n переходом і n - каналом (№13 НЧ-корекція)

 

;    

; 

;   

                              Задамося:  

 =>

;   Приймаємо: ;  => 

; 

 

Польовий транзистор з індукованим каналом n-типу (№14 НЧ-корекція)

; 

;  

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;  

  => 

;   Приймаємо: ;  => 

;

Польовий транзистор з вбудованим каналом n-типу (№15 НЧ-корекція)

 

; 

;    

Вибиремо R1 та R2 такими, щоб Rвх>10 кОм.

Задамося:  

Тоді: ;  

  => 

;   Приймаємо: ;  => 

;   

;   

 

Біполярний транзистор (№16 НЧ-корекція)

;  Приймемо:

; 

; 

Задамося:  

Rвх.тр.>>R2; 

  => 

;   Приймаємо: ;  => 

;   

;