Підсилювач запису стерео магнітофону, страница 7

 М_В = 0,257 + 0,2 = 0,457 (дБ).

3.2 Розрахунок регулятора глибини рівня запису

Застосуємо схему регулятора глибини рівня запису так, щоб його схемне рішення давало змогу підключати його безпосередньо після підсилювача запису на КА22261.

Рисунок 6. Регулятор глибини рівня запису.

Мінімальний рівень сигналу у даному випадку встановлюється за допомогою додаткового опору R6. Приймаємо R6=51 Ом, тоді для забезпечення заданої у ТЗ глибини регулювання рівня запису 30дБ або 32 рази опір змінного резистора R5 обиратимемо:

R5  32*R6,

R5  1,6 (кОм);

За формулою (1) розрахуємо потужність резисторів.

P_R5 = 2,5²/51 = 0.123 (Вт),

P_R6 = 2,5²/1,6*10³ = 3,9*10^-3 = 3,9 (мВт),

За  довідником [11] обираємо змінний резистор СП2-2:

R5 =СП2-2 - 0.5 –1,5 кОм±0,1%

R₆ = C2-14 – 0.25 – 47 Ом – 500В - ±0,5%;    

          При такому матеріальному виконанні даний регулятор гучності буде мати глибину регулювання

(рази) або 30,2 Дб.

Розрахуємо частотні спотворення які вносить регулятор на низьких частотах.

;

де, t_Н  - стала часу.                           t_Н = (R_Р + R_ВХ)С_Р ;

t_Н.min = (51+ 250000)*0,119*10^-6 = 0,029 (с);

t_Н.max = (1600 + 250000)*0,119*10^-6 = 0,03 (с);

          Отож, спотворення які вносить регулятор глибини рівня запису 0 дБ.

3.3 Розрахунок частотних спотворень мікросхеми КА22261

Вихідні дані: Кр = 50 дБ,

                            Мн = 1,1 дБ,

                            Мв = 0,6 дБ,

                            Кг = 0,1 %

                            Ку = 54,5 дБ,

Rвх = 2,2 Ком,

                            Rвих = 10 Ком,

                            f₀ = 20 MГц.

Рисунок 7. Попередній каскад підсилення.

За формулою (1) розрахуємо потужність резисторів.

P_R7 = 2,5²/180*10³ = 0.347*10^-6 = 0,347 (мкВт),

Виберемо елементи [11] згідно стандарту:

 С₁ = К50-6 – 6,8 мкФ ´ 160 В ±3%

 С₃ = К10-7В – 18 пФ ´ 50 В ±5%

R7 = МЛТ - 0.125 –180 кОм±1%

Згідно формули (3) розрахуємо С1:

За формулою 2 розрахуємо коефіцієнт підсилення за потужністю:

Кр = 7943²*2200/250000 = 5,552*10⁵ рази або 57,44 (дБ) > К_Р = 17 дБ – потрібний коефіцієнт підсилення.

Розрахуємо частотні спотворення, які вносить дана мікросхема на нижніх та верхніх частотах відповідно.

Розрахуємо частотні спотворення, які вносить дана мікросхема на верхніх частотах.

Згідно формул: 

F_ЗР  - розрахуємо з рівності (4);

F_ЗР = 20*10⁷/7943 = 25180 =25,18 (кГц).

Враховуючи частотні спотворення які вносять елементи схеми

М_В.СХ = 0.2 дБ та використавши формулу (5) маемо:

М_В = 0,24 + 0,2 = 0,44 (дБ).

3.4 Розрахунок схеми включення магнітної головки

Зробимо розрахунок схеми включення головки, яка зображена на рисунку (2).  Для цього скористаємось деякими розрахунками, які були зроблені в структурній схемі п.1.

(кОм), R9 = 1,131(КОм), R_H = 6946 (Ом), f_П = 75 (кГц);

   U_ГЕН = 5f_ПL_ГІ_П,

С₈ = (1,6..5)*0,1/F_BR₁₀;

С₇ = 6,5*10^-2/6000*1131 = 9,579*10^-9 = 9,579 (нФ),

U_ГЕН = 5*75000*75*10^-3*0,4*10^-3 = 11,25 (В),

R₁₀ = 2*10^-4*11.25*5655/75000*75*10^-3*0.4*10^-3 = 5.655 (Ом),

С₈ = 3*0,1/6000*5,655 = 8,842*10^-6 = 8,842 (мкФ);

Розрахуємо номінальні потужності резисторів за формулою (1):

P_R8 = 5²/5655 = 4,421*10^-3 = 4,421 (мВт),

P_R9 = 5²/1131 = 22,104*10^-3 = 22,104 (мВт),

P_R10 = 11,25²/5,655 = 22,38 (Вт),

Зробимо вибір розрахованих елементів:

Для можливості керування струмом підмагнічування – виберемо резистор R₁₀ – змінним [11]: 

R10 =С5-30 - 25 –5,6 Ом ±5%

R8 =МЛТ - 0.125 –5,6 кОм ±5%  

R₉ = МЛТ – 0,125 – 1,2 кОм ±0,5%;    

С₇  = К50-6 – 10 нФ ´ 160 В ±3%

С₈ = К50-6 – 9,1 мкФ ´ 160 В ±3%

3.5 Підрахунок загальних частотних та нелінійних спотворень підсилювача

          Підрахуємо загальні частотні спотворення на нижніх частотах, скориставшись формулою:

М_ЗАГ.Н = М_ОП.Н + М_КА22261.Н + М_РЕГ.Н,

де,

       М_ОП.Н – спотворення, які вносить ОП на нижніх частотах,