Розрахунок структурної схеми кінескопа з опором 3 кОм, страница 3

Відношення сигнал/шум визначається по формулі

                                                                     (1.7.6)

де U_сигн – амплітуда вхідного сигналу.

Отримане відношення перевищує величину задану в ТЗ. Отже транзистор першого каскаду обрано вірно.

1.8 Частотні властивості підсилювального елемента

Для подальшого розрахунку частотних спотворень каскадів необхідно розрахувати частотні властивості біполярних транзисторів, а саме параметр , що визначається таким співвідношенням [1]

,                                     (1.8.1)

де  – гранична частота транзистора за крутістю в схемі з спільним емітером;

 – гранична частота передачі струму в схемі спільна база,
що дорівнює [1]

,                                     (1.8.2)

де  – гранична частота передачі струму в схемі спільний емітер;

 – об'ємний опір бази, який визначається таким чином

,                                                 (1.8.3)

де  – стала часу;

 – ємність колекторного переходу транзистора;

 – крутість транзистора в робочій точці, що визначається таким чином [5]

.                                   (1.8.4)

Для визначення параметрів, що необхідні для розрахунку крутості транзистора КТ940А задамо робочу точку даного транзистора на його вхідній () та вихідній ()  характеристиках (див. додаток В, рисунок В.1, рисунок В.2).

Значення крутості S₀ даного транзистора для заданої робочої точки визначиться таким чином

 3,5 ,

 (Ом),

 (МГц).

Розрахуємо значення  для транзистора КТ940А

543,7 (МГц).

Аналогічно задамо робочу точку для транзистора КТ3102А (див. додаток Д, рисунок Д.1, рисунок Д.2). Отже, для транзистора КТ3102А

 ,

 (Ом),

 (МГц).

Розрахуємо значення  для транзистора КТ3102А

 (МГц).

1.9 Розподіл частотних і нелінійних спотворень по каскадах

Розподіл частотних спотворень по каскадах виконується окремо для області високих і низьких частот.

Частотні спотворення в області високих частот зумовлені декількома складовими.

Частотні спотворення М_{ВПЛИВ.ТР}, що визначаються впливом транзистора для каскаду з спільним емітером визначаються таким чином [4]

,                          (1.9.1)

де F_В – верхня частота робочого діапазону пристрою;

f_Y21Е – гранична частота транзистора по крутості в схемі з спільним емітером;

Отже, для ККП і КПП коефіцієнт частотних спотворень для області високих частот, що виникає із впливу транзистора визначається таким чином

=1 (раз) = 0 (дБ),

 (раз) = 0 (дБ).

Частотні спотворення М_В.СХ., що вносяться елементами схеми каскаду для резистивного каскаду з спільним емітером

М_В.СХ = 0,2 . . .0,3 дБ.                              (1.9.2)

Загальні частотні спотворення в області верхніх частот ККП

М_{В ККП} = М_{В.Т 2.}+ М_{В.СХ. 2}  ,                             (1.9.3)

М_{В ККП} = 0 + 0,3 = 0,3 (дБ).

 

Загальні частотні спотворення в області верхніх частот КПП

М_{В КПП} = М_{В.Т. 1}+ М_{В.СХ. 1}   ,                                       (1.9.4)

 М_{В КПП} = 0 + 0,3 = 0,3 (дБ).

Величина частотних спотворень всього пристрою в області ВЧ буде рівна

М_В=0,3 + 0,3 = 0,6 (дБ).

Частотні спотворення на низьких частотах М_Н зумовлені наявністю в каскаді кіл, що впливають на коефіцієнт підсилення в області низьких частот. Для резистивного підсилювального каскаду ввімкненого за схемою СЕ
М_Н = 0,4…1,2 дБ.

Загальний коефіцієнт частотних спотворень в області низьких частот буде рівний