Исследование интегральных ЦАП и АЦП

министерство образования и науки

 «Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

“ЛЭТИ” имени В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ)

Кафедра электронных приборов и устройств

Лабораторная работа № 11

«ИССЛЕДОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЦАП И АЦП»

Выполнили студенты: Прутковский В.

                                        Лукьянов К.

Группа:                   7203

Проверил:              

Санкт-Петербург

 2011 г

Цели работы:

 Научиться задавать режим по постоянному току транзисторного усилителя, сравнить термостабильность, входное и выходное сопротивления и коэффициент усиления по напряжению трёх распространённых  схем усилительных каскадов на транзисторах в режиме усиления малых сигналов.

Исследуемые схемы:

Рис. 1. Усилитель на биполярном транзисторе с балластным резистором в цепи базы.

Рис. 2. Усилитель на биполярном транзисторе с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором.

Рис. 3. Схема проведения измерений ku, Rвх и Rвых для усилителя с балластным резистором в цепи базы.

Рассчеты.

Расчёт параметров:

Для 1-ой схемы:

Uк-э = 7 В, Uп = 12 В, Iк = 5 мА,  β =500

Rк = (Uп - Uк-э) / Iк = 1 кОм

Iб = Iк / β = 10 мкА

Rб = Uп / Iб = 1,2 МОм

Iк = 5,147 мА,  Iб = 0,019 мА, β = 271

При нагреве:

Iк = 5,5 мА,  Iб = 0,019 мА, β = 263

Для 2-ой схемы:

Rк / Rэ = Кус = 5, Rк = 1 кОм, Rэ = 200 Ом

Uвых = 7 В

Iк = 5 мА, Iб = 0,019 мА, β = 263

При нагреве:

Iк = 5,07 мА, Iб = 0,018 мА, β = 281

Определение усилительных свойств транзистора:

Использовалось включение по схеме, показанной на рисунке 3.

R₁ = 10 кОм, С₁ = 470 нФ, Uвх = 0,1 В, f = 2 кГц.

Для 1-ой схемы:

Rвх ≈ h₁₁ – сопротивление базы

h₁₁ = 25(β/Iк) = 1,2 мОм

Uген = 0,074 В, Uвх = 0,0016 В, Uвых = 1,656 В

Кu = Uвых / Uвх = 1035

Для 2-ой схемы:

Rвх – сопротивление параллельно включенных сопротивлений

R₁= 200 кОм, R₂ = 51 кОм, Rб = 1,2 МОм

Rвх = 40 кОм

Rвых ≈ Rк = 1 кОм

Кu = 5

Uген = 0,07 В, Uвх = 0,068 В, Uвых = 0,133 В

Кu = Uвых / Uвх = 1,95

Оценка выходного сопротивления:

Для 1-ой схемы:

Rн = 500 Ом, Uвых = 0,572 В, Rвых =

Rн = 1 кОм, Uвых = 0,804 В, Rвых =

Rн = 2,2 кОм, Uвых = 1,112 В, Rвых =

Для 2-ой схемы:

Кu = Uвых / Uвх = Rвых / Rэ

Rн = 500 Ом, Uвых = 0,076 В, Rвых =

Rн = 1 кОм, Uвых = 0,12 В, Rвых =

Rн = 2,2 кОм, Uвых = 0,23 В, Rвых =

Вывод: