Параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой, страница 8

Очевидно, что значения параметров транзистора будут различны в схемах с ОБ, ОЭ и ОК. Принято отмечать параметры в зависимости от схемы включения дополнительными индексами: при работе транзистора в схеме с ОБ - буквой б, в схеме с ОЭ - э, а в схеме с ОК - к. Для схемы с ОБ можно записать:

где  и  малые амплитуды переменных составляющих токов и напря­жений транзистора.

Наиболее просто h-параметры определить по статическим характе­ристикам транзистора. При этом частные производные токов и напряже-

Рис. 7.       Определение h-параметров по статическим характери­стикам.

ний заменяются конечными малыми приращениями. Параметры h₁₁ и h₁₂ определяются по входным ВАХ, a h₂₁ и h₂₂ — по выходным (рис.7). Порядок определения h-параметров следующий:

1. Выбирается рабочая тока A() и наносится на входные и выход­
ные характеристики.

2. На входных ВАХ в окрестностях рабочей точки задается некоторое

приращение напряжения  и определяется соответ­ствующее ему приращение тока  при постоянном напряже­нии . Тогда входное сопротивление транзистора

                                                                     (500 Ом–5кОм)

3.  При постоянном токе эмиттера  задается приращение напряжения определяется получившееся при этом приращение

    . Тогда коэффициент обратной связи по напряжению

                             (~10^-4–10^-3)

4.  На выходных ВАХ в окрестностях рабочей точки задается некоторое приращение тока коллектора  и определяется соответ­ствующее ему приращение напряжения  при постоян­ном токе  . Тогда выходная проводимость транзистора

Рис. 8.       Формальная эквивалентная схема транзистора для системы h-параметров.

                                               (~10^-7–10^-6 Cм)