Исследование характеристик полупроводниковых приборов

Министерство образования Республики Беларусь

Гомельский государственный технический университет

им. П. О. Сухого

Кафедра «Автоматизированные электроприводы»

ОТЧЁТ

по расчётно-лабораторной работе № 1

«Исследование характеристик полупроводниковых приборов»

Выполнил студент группы ЭП-22

Принял преподаватель

Шапоров В.В.

Гомель 2007

Цель работы

Изучение вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов с p- n- переходами и ознакомление с процессами отпирании и запирания тиристора.

Порядок выполнения работы:

1.  Снять и построить вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов V1, V2, V3. Для исследования собирается схема, приведенная на рис. 1.9 для каждого прибора.

2.  Определить дифференциальное сопротивление для V1, V2, V3 при I=10мА.

3.  Собрать схему, представленную на рис. 1.10, и снять прямую ветвь вольт-амперной характеристики закрытого тиристора V4 при отключении источника питания ИП1.

4.  Установить: Uип2=16В, а предел измерения А1 не менее 0.5А и, включив ИП1, увеличивать его выходное напряжение. Определить ток управления и анодный ток в момент открывания тиристора.

5.  Поддерживая постоянным ток управления на уровне, соответствующему току открывания, снять воль-тамперную характеристику открытого тиристора.

6.  Построить вольт амперную характеристику тиристора.

Расчетные таблицы и графики:

Определяем дифференциальное сопротивление для V1, V2 и V3 при I=10 mА:

V1=0.8B                  

V2=0.3B                   

V3=0.7B                  

Снимаем ВАХ при прямом соединении:

                   V1                                        V2                                      V3

    I₁=0 mA       V₁=0 B             I₁=0 mA     V₁=0 B            I₁=0 mA        V₁=0 B

    I₂=2.5 mA    V₂=0.7 B          I₂=2.5 mA  V₂=0.25 B       I₂=2.5 mA     V₂=0.55 B

    I₃=5 mA       V₃=0.75 B        I₃=5 mA     V₃=0.25 B       I₃=5 mA        V₃=0.65 B

    I₄=7.5 mA    V₄=0.77 B        I₄=7.5 mA  V₄=0.27 B       I₄=7.5 mA     V₄=0.7 B

    I₅=10 mA     V₅=0.8 B          I₅=10 mA   V₅=0.3 B         I₅=10 mA      V₅=0.7 B

Строимграфики:

Снимаем ВАХ при обратном соединении:

                   V1                                       V2                                            V3

     I₁=0 mA      V₁=0 B           I₁=0 mA        V₁=0 B               I₁=0 mA        V₁=0 B

     I₂=2.5 mA   V₂=1 B           I₂=2.5 mA     V₂=1.5 B            I₂=2.5 mA     V₂=1.25 B

     I₃=5 mA      V₃=2.7 B        I₃=5 mA        V₃=2.5 B            I₃=5 mA        V₃=2.7 B

     I₄=7.5 mA   V₄=3.5 B        I₄=7.5 mA     V₄=3.2 B            I₄=7.5 mA     V₄=3.5 B

     I₅=10 mA    V₅=5 B           I₅=10 mA      V₅=4.5 B            I₅=10 mA      V₅=4 B

Строимграфики:

Вывод: изучили вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов с p- n- переходами и ознакомились с процессами отпирания и запирания тиристора.