18. Статические ВАХ тр-ра в схеме с ОБ; модуляция шири-ны базы. Тр-р в каждой схеме включения хар-ся 4 семейства-ми статических хар-тик: 1) Iк=f(Uк) при Iвх=const–это выходные или колл-ые хар-ки; 2) Iвх=f(Uвх) при Uк=const– входные хар-ки; 3) Iк=f(Iвх) при Uк=const – хар прямой передачи по току; 4) Uвх= =f(Uвых) при Iвх=const – хар обратной связи по U. Значит I и U при построении хар-тик не учитываются, что позволяет унифи-цировать их для тр p-n-p и n-p-n типов. Входные (эмм-ые) стат хар тр в схеме с ОБ пред собой зависимость Iэ=f(Uэб) при Uк=const (рис1). Входная хар-ка при Uк=0 подобна прямой ветви ВАХ диода. При подаче на p-n-p тр отриц-го колл-гоU, вх хар-ка смещается влево. Влияние Uк на положение вх хар-ки свидетельствует о наличие в тр внутр обратной связи. При подаче или увел по модулю Uк появл-ся или увел-ся Iкбо и ум-ся составляющая Iэрек из-за расширения К перехода и соответствующего этому,ум-ие ширины Б. Этот эффект расширения К перехода и ум-ия эфф-ой ширины Б при ув-ии Uк наз модуляцией ширины базы.
Выходные (колл-ые) хар-ки тр в схеме с ОБ пред собой зависи-мость Iк=f(Uк) при Iэ=const. Вых хар-ка при Iэ=0 явл обратной вествью ВАХ диода. Увел-е Iэ ведет к сдвигу хар-ки вверх и влево. При обратносмещенном К переходе наблюд-ся незначи-
тельное ув-ие наклона хар-к при повышении Iэ. Это объясняется
косвенным влиянием Uк на вел-ну Iкр, т.е.с ув-ием Uк ум-ся толщина Б и Iэрек, ═> сост Iкр несколько ув-ся, причем это увеличение тем больше, чем больше сам ток Iкр, т.е. чем больше Iэ. При от-носительно больших Iэ вых хар-ки сближаются, т.к. при этом происходит относит-ое ув-ие Iэрек и Iэн, т.е. статич-ий коэф пря-мой передачи по току α ум-ся. Начальные участки вых хар-ик снимаются при изменении полярности Uк.
19. Статические ВАХ тр-ра в схеме с ОЭ. Вх и вых статич хар-ки пред собой зависимости: Iб=f(Uбэ) при Uк=const; Iк=f(Uк) при Iб=const и они имеют вид:
При Uк=0 нулевая вх хар-ка пред собой суммарную хар-ку Э и К переходов, соединенных ║ и подключенных к источнику пи-тания в прямом направлении, т.е. Iб=Iэ+Iк. Отключ-ие К не сущ-но влияет на вх хар, т.к. Iб в основном опр-ся rб, т.е. при Iк=0. При небольшом отриц U на К Iк меняет свое направл на обыч-ное и Iб=Iэ-Iк. В рез-те Iб резко ум-ся, а вх хар располагается значительно ниже нулевой. При дальнейшем ув-ии по модулю Uк вх хар незначит-но смещается вправо и практически сливается с хар-ми, снятыми при дальней-шем ув Uк. Вых хар-ки – это зависимости Iк от Uк, при различ-ных знач iб=const. Нулевая вых хар, т.е. обратный ток К-Э про-ходит ч/з начало координат и в рабочей области, т.е. │Uк│≥1 В располагается на уровне βi∙Iкбо. При ув-ии Iб вых статич хар-ки сдвигаются вверх и по сравнению с общей Б имеют примерно в β раз больший наклон и более разковыраженное сближение при значительных Iб. Статич ВАХ тр с ОЭ и ОК примерно одинаковы.
20. Схемы замещения транзисторов. СЗТ могут соответство-вать их физ пар-рам, а также пар-рам, харак-щих их как линей-ный 4-х полюсник. Достоинство физ пар-ров в том, что они на-глядны и непоср-но хар-ют физ св-ва 3-х слойной п/п структу-ры. Их можно рассчитать по геометрии слоев и пар-рам мате-риала, но их прямое изменение невозможно. Дост-вом пар-ров 4-х полюсника явл то, что их можно измерить. СЗ позволяют упростить расчеты электронных схем. СЗТ в физ пар-рах предс в виде Т-образной схемы, отражающей его структуру. Для включ тр-ра с ОБ и ОЭ они имеют вид:
Эти схемы справедливы для лин уч-ков статич-ких ВАХ тр-ра, когда его пар-ры можно считать неизменными, т.е. для малых изменений I и U. Пар-ры СЗ с ОБ: 1) rэ=dUэб/diэ=φт/Iэ (Uкб=const) дифференц сопр эм-го перехода позволяет учесть связь м/у U на Э переходе и протекающим ч/з него Iэ. Его вел-на, в зависимости от Iэ, м/б от единиц до десятков Ом; 2) объемное сопр Б rб. Оно опр-ся в напр-ии прохождения Б тока в слое Б от границы Э перехода. rб>rэ и составляет сотни Ом; 3) эквивал-ый источник тока αIэ. Он учитывает транзитную составляющую приращения Iэ, проходящую ч/з Б в К; 4) rк=dUкб/diк (Iэ=const)-дифферен-ое сопр К перехода (включ в обратном напр). Оно учитывает измене-ние Iк с изменением Uкб вследствие модуляции ширины Б. Его вел-на от 0,5 до 2 МОм; 5) источник напряж μUкб. Он опр-ет напряж внутр полож обратной связи и отражает влияние эффекта модуляции Б на вх цепь тр-ра. Т.к. μ мало (10-4…10-3), то этот источник часто в схему не входит; 6) емкости Э и К переходов Сэ, Ск. Диф-ая и барьерная емк-ти Э перехода больше таковых К перехода, но т.к. Сэ зашунтировано значительно меньшим сопр (rэ), чем Ск зашунтир (rк), то начиная с десятков кГц емкость Ск приходится учитывать, а Сэ на этих частотах пренебрегают; 7)α=dIk/dIЭ|Uкб=const диффер коэф передачи тока зависит от частоты усиливаемого сигнала. В обл-ти повышен-ных частот, где начинает сказываться время прохождения дырок ч/з Б, Iк и Iб отличаются по фазе от Iэ, а коэф α ум-ся. Одним из основных пар-ров тр-ра явл-ся граничная частота fα, при к-ой модуль комплексного коэф тока α ум-ся в √2 раз. В Т-образной СЗТ с ОЭ пар-ры rэ и rб имеют тот же физ смысл, что и в схеме с ОБ. Источник тока здесь показан, как βIб, т.к. вх током в этой схеме явл Iб. Диффер сопр К перехода r*к=rк/(β+1), ана-логично С*к=Ск(β+1) и влияние ее в обл-ти повышенных частот значительно больше, чем Сэ, поэтому Сэ обычно не учитывают. Диф коэф передачи тока с ОЭ также частотнозависимый. Граничная частота fβ=fα/(β+1), т.е. частотные св-ва тр-ра в схеме с ОЭ хуже, чем в схеме с ОБ.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
