Лабораторная работа № 2, исследование полевого транзистора с затвором на основе p-n – перехода и каналом p-типа, страница 3

Uз

0

0,5

1

1,5

2

2,5

3

3,5

4

4,5

5

Ic

4,7

3,6

2,45

1,6

0,9

0,4

0

0

0

0

0

Напряжение насыщения стока U_С.Н.

10 B

 Ток насыщения транзистора I_С.Н.

при U_З=0В

4,8 мА

при U_С=U_С.И.О.

0 мA

Выходное сопротивление транзистора

при U_З=0В

1/0,002=500 Ом

при U_С>U_С.Н.

(9-7)/(0,0048-0,0047)=20 кОм

Сопротивление полностью открытого канала R_К.О

1/0,002=500 Ом

Напряжение отсечки U_З.О.

3B

Максимальную крутизну S_MAX при U_С=U_С.Н.

(2,45-0,9)/(2-1)=1,55 мА/В