RГ + RВХ
RГ RK
КI = - b Ч ѕѕѕѕ Ч ѕѕѕѕ .
RГ + RВх RK + RH
Эквивалентные схемы для различных областей частот показаны на рис. 2: а) для области средних частот; б) для области нижних частот (учитывалось, что емкости С1, С2, С3 влияют на работу каскада в области нижних частот); в) для области верхних частот (учитывалось, что в области верхних частот первостепенное значение имеет временная или частотная зависимость коэффициента b и коллекторная емкость СК и, в отличие от ламповых схем, паразитные емкости в транзисторных каскадах оказывают второстепенное влияние).
Принципиальная схема каскада с эмиттерным входом имеет следующие преимущества:
1. Предельная частота усиления транзистора fa выше, чем в каскаде с ОЭ - fb.
2. Температурная стабильность выше, чем в каскаде с ОЭ.
3. Меньшая склонность к самовозбуждению.
4. Схема мало критична к замене транзистора.
5. Отсутствует сдвиг фаз между входным и выходным напряжениями.
Недостатки данного каскада:
1. Каскад не дает усиления по току (a < 1).
2.
2. |
3. Каскад может работать как усилитель только на высокоомную нагрузку.
4. Входное сопротивление низкоомное, носит индуктивный характер и увеличивается с ростом частоты.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.