Способы питания и стабилизации усилительных элементов, страница 12

Схема описывается следующими уравнениями Кирхгофа:

– для контура тока коллектора:         Е_п = i_к×R_к + U_кэ ;                   (3.6)

– для контура тока базы:                    Е_п = ( i_б + i_д)×R_б + U_бэ;          (3.7)

– для контура делителя в цепи базы: Е_п =( i_б + i_д)×R_б + i_д×R(3.8)

Из уравнения (3.7), в частности, следует, что при выполнении условия    i_д >> i_б

,                                    (3.9)

Поскольку Е_п >> U_бэ, то напряжение смещения базы практически не зависит от свойств транзистора и является постоянной величиной, что определило название схемы.

 

Рисунок 3.8 – Схемы с фиксированным напряжением смещения

Эта схема, так же, как и предыдущая схема, удовлетворительно работает при нормальной температуре окружающей среды (25°С) и при неизменных параметрах элементов. Под действием дестабилизирующих факторов в схеме происходят те же процессы, что и в схеме с ФТБ.

Таким образом, без специальных мер по стабилизации режима работы транзистора нестабильность положения точки покоя (величины постоянного коллекторного тока) может привести к:

·  возникновению нелинейных искажений;

·  увеличению потребляемого тока и снижению КПД устройства;

·  изменению коэффициента усиления вследствие изменения крутизны проходной характеристики транзистора при изменении положения точки покоя

Для повышения стабильности режима работы транзистора необходимо, как видно из рисунка 3.7, одновременно с повышением температуры уменьшать смещение на транзисторе, перемещая точку покоя в более линейную область. Этого можно добиться с помощью двух методов: