Ключевые схемы на полевых транзисторах, страница 5

3.  Из библиотеки элементов выбрать PARM. В открывшемся окне ввести Name1=R и Value1=1k.

4.  В режиме Analysis- Setup- Parametric задать режим глобального параметра, указать имя параметра R  и, указав ValueList,  перечислить значения.

При выполнении  другого параметрического анализа (п.10 рабочего задания) следует действовать так:

1.  Настроить схему для одного из значений параметра модели Kp.

2.  В режиме Analysis - Setup - DC sweep.. войти в Nested Sweep. Указать Model parameter  и ввести Model Type = NMOS,  Model Name = Mbreak...(?), Param. Name = Kp.  Пометить ValueList  и перечислить все  значения. Затем отметить EnableNestedSweep.

Литература

1.  Лабораторная работа №8 «Ключевые элементы на биполярных и полевых транзисторах» В сборнике лабораторных работ по курсам «Импульсная электронная техника и Электронные цепи ЭВМ». № 8, 9, 10. -М.: МЭИ, 1987.

2.  Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSPICE для  схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4 выпусках. -М.: Радио и связь, 1992.

Таблица 1.

Исходные данные для расчета

Епит, В

Rс, кОм

Uвх, В

Uо, В

b, мкА/ВВ

1.   

10

10

10

2

100

2.   

12

20

12

3

150

3.   

15

30

15

4

200

4.   

12

5

12

2

250

5.   

10

10

10

3

300

6.   

12

15

12

4

350

7.   

15

20

15

5

400

8.   

10

25

10

2

450

9.   

12

30

12

3

100

10. 

15

10

15

4

150

11. 

12

15

12

1

200

12. 

10

20

10

2

250

13. 

12

25

12

3

300

14. 

15

30

15

4

350

15. 

10

10

10

5

400

16. 

12

15

12

3

450