3. Из библиотеки элементов выбрать PARM. В открывшемся окне ввести Name1=R и Value1=1k.
4. В режиме Analysis- Setup- Parametric задать режим глобального параметра, указать имя параметра R и, указав ValueList, перечислить значения.
При выполнении другого параметрического анализа (п.10 рабочего задания) следует действовать так:
1. Настроить схему для одного из значений параметра модели Kp.
2. В режиме Analysis - Setup - DC sweep.. войти в Nested Sweep. Указать Model parameter и ввести Model Type = NMOS, Model Name = Mbreak...(?), Param. Name = Kp. Пометить ValueList и перечислить все значения. Затем отметить EnableNestedSweep.
1. Лабораторная работа №8 «Ключевые элементы на биполярных и полевых транзисторах» В сборнике лабораторных работ по курсам «Импульсная электронная техника и Электронные цепи ЭВМ». № 8, 9, 10. -М.: МЭИ, 1987.
2. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4 выпусках. -М.: Радио и связь, 1992.
Таблица 1.
Исходные данные для расчета
|
№ |
Епит, В |
Rс, кОм |
Uвх, В |
Uо, В |
b, мкА/ВВ |
|
1. |
10 |
10 |
10 |
2 |
100 |
|
2. |
12 |
20 |
12 |
3 |
150 |
|
3. |
15 |
30 |
15 |
4 |
200 |
|
4. |
12 |
5 |
12 |
2 |
250 |
|
5. |
10 |
10 |
10 |
3 |
300 |
|
6. |
12 |
15 |
12 |
4 |
350 |
|
7. |
15 |
20 |
15 |
5 |
400 |
|
8. |
10 |
25 |
10 |
2 |
450 |
|
9. |
12 |
30 |
12 |
3 |
100 |
|
10. |
15 |
10 |
15 |
4 |
150 |
|
11. |
12 |
15 |
12 |
1 |
200 |
|
12. |
10 |
20 |
10 |
2 |
250 |
|
13. |
12 |
25 |
12 |
3 |
300 |
|
14. |
15 |
30 |
15 |
4 |
350 |
|
15. |
10 |
10 |
10 |
5 |
400 |
|
16. |
12 |
15 |
12 |
3 |
450 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.