1. Исходные данные
ЭДС входного сигнала: Е, мВ 4;
Нагрузка: активная Rн, кОм 100;
емкость Сн, пФ 20;
Частотные искажения: Мн, дБ 1,8;
Мв, дБ 1,5;
Температура: минимальная Тн, °С 0;
максимальная Тв, °С 50;
Сопротивление источника Rист, Ом 300;
Граничные частоты: нижняя fн, Гц 250;
верхняя fв, МГц 8;
Нелинейные искажения: Кг, % 4;
Амплитуда выходного сигнала: Евых, В 3,5 (а мой 2,5)
2. Выбор и обоснование структурной схемы и параметров каскадов.
2.1 Задаваясь коэффициентом запаса Кз=1,5 и Rвх=1,5 кОм, расчитываем коэффициент усиления
Кр=(Евых/Евх)Кз(1+(Rист/R вх)) (2.1)
Кр=(2,5·103/8) ·1,5·(1+(400/1500))= 593,9 » 594
2.2 Находим необходимое число каскадов при Кm = 40
N=lnKp/(lnKm/2) (2.2)
N=ln 594/(ln 40/2)= 29,7
N=30
2.3 Рассчитываем требования к отдельным каскадам:
а) коэффициент усиления каскада:
Кi=3√Кр (2.3)
Кi=3√3940=15,8;
б) коэффициент частотных искажений на верхних частотах:
Мвi= 10(Мв/(N·20)), дБ (2.4)
Мвi= 10(1,5/(3·20))=1,059 дБ;
в) коэффициент частотных искажений на нижних частотах:
Мнi= 10(Мн/(N·20)), дБ (2.5)
Мнi= 10(1,8/(3·20))=1,072 дБ;
г) нестабильность усиления:
δKi=δK/N, % (2.6)
δKi=10/3=3.3 %;
д) нелинейные искажения целиком относятся к выходному каскаду:
Кгвых=Кг=4%
2.4 Определяем необходимую площадь усиления каждого каскада. Глубина обратной связи, необходимая для получения заданного усиления
А=Кm/Ki (2.7)
A=40/15,8=2,53
2.5 По графику (рис.1) находим проигрыш в площади усиления по сравнению с простой параллельной коррекцией: К' = 0,43
2.6 Определяем выигрыш от простой параллельной коррекции по графику рис.1. Значение Кk/Кi принимаем равным 0,9 γ'κ=2,3. Находим выигрыш при эмитторной коррекции
γκ=1+(γ'κ-1)·К' (2.8)
γκ=1+(2,3-1)·0,43=1,56
2.7 Находим необходимую верхнюю граничную частоту каждого каскада
fвi=fв/( γ'κ·(√M2вi-1)), МГц (2.9)
fвi=8/(1,56·(√(1,059)2 –1)=14,71 МГц
2.8 Находим площадь усиления каждого каскада
Пmpi=Ki·fвi , МГц (2.10)
Пmpi= 15,8·14,71=232,4 МГц
Такая площадь усиления может быть обеспечена каскадом с общим эмиттером на микросхеме К256УВ1. Так как сопротивление источника отпала невелико, то входной подаётся непосредственно на первый каскад усиления на микросхеме.
3. Расчёт промежуточных каскадов усиления.
3.1 Уточняем сопротивление эквивалентного генератора
Rг=(Rк·Rб)/(Rк+Rб), Ом (3.1)
где Rб - сопротивление в цепи базы, Rк - коллекторное сопротивление предыдущего каскада.
Rг=(670·6200)/(670+6200)=605 Ом
3.2 Рассчитываем эквивалентную емкость нагрузки
Со =Снд+Сб'к+См, пФ (3.2)
Со =5+3,4+5=13,4 пФ
3.3 Находим входное сопротивление каскада
Rвхmp=β·(Rнi/Ki), Ом (3.3)
где Rнi=(Rk· Rвхmp) /(Rk+ Rвхmp), Ом (3.4)
Так как сопротивление нагрузки каскада зависит от входного сопротивления следующего каскада, которое неизвестно, то первоначально задаем Rнi равным коллекторному сопротивлению Rk, рассчитываем Rвхmp, а затем уточняем Rнi, и Rвхmp .
Rвхmp =120·(670/15,8)=5089 Ом;
Rнi=(670·5089)/(670+5089)=592 Ом;
Rвхmp=120·(592/15,8)=4496 Ом
3.4 Рассчитываем площадь усиления каскада
Пi= (Rнi/(Rг+rб'б))·(fт/(√1+[((2πfтC0Rнi )/β)· (2.4)
·(1+(rб'э/ Rг+rб'б))]2), МГц
Пi=(592/(605+36)·450/√1+[((2·3,14·450·106·
·13,4·10-12·592)/120) ·(1+(400/(605+36))]2)=397,7 МГц
Площадь усиления больше требуемой Пmpi=232,4 МГц, требования к частотным свойствам выполнены.
3.5 Рассчитываем величину сопротивления эмиттерной обратной связи
Rэi=(Rвхmp-rб'б-rб'э)/(β+1), Ом (3.5)
Rэi=(4496-36-400)/(120+1)=33,6 Ом
3.6 Оценка температурной нестабильности каскада.
1) находим максимальное относительное приращение коэффициента передачи по току:
δβ=4·10-3(Тв-20) (3.6)
δβ=4·10-3(50-20)=0,12
2) рассчитываем нестабильность усиления каскада:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.