![]()
fвi необходимая верхняя граничная частота каскада:

Пi необходимая площадь усиления каскада:
![]()
Расчет выходного каскада
Такая площадь усиления может быть обеспечена с помощью усилительной секцией ОЭ-ОБ с применением коррекции эмиттерной противосвязью. И учитывая невысокое выходное напряжение при высокой нагрузке. Возможно применение микросхемы типа К265УВ6.
При работе на высокоомную нагрузку, прежде всего, определим максимально возможное сопротивление нагрузки:
![]()
Определим максимально допустимое сопротивление нагрузки


Минимально допустимое сопротивление нагрузки

Выберем коллекторное сопротивление в пределах 1023 ÷ 1274 Ом :
![]()
Необходимо к выводу-10 микросхемы выходного каскада. Подключим добавочное сопротивление для обеспечения данного Rk.
Rk =R7+R8=470+200=670 Ом; R4=1200-670=530 Ом
Определим минимальное допустимое питание:
![]()
Ближайшие типовое питание,
будет 9 В, ![]()
Остаточное напряжение на
коллекторе: ![]()
Смещение на эмиттере: ![]()
Сопротивление нагрузки выходного каскада:

-величина коллекторного тока
Параметры биполярного транзистора КТ331Б
![]()
![]()
![]()
Сопротивление базового делителя :
![]()

Суммарное сопротивление в эмиттере : Rэ.с=R2+R4+R5=620+100+84=804 Ом
![]()
Напряжение смещения: ![]()
Напряжение на базе:

Необходимое смещение на базе
для кремниевого транзистора: ![]()
Iк1 и Iк2 коллекторные токи транзисторов:
![]()
![]()
Напряжения коллектор-эмиттер транзисторов:
![]()
![]()
Проверка допустимой мощности рассеяния :



Есть не большое превышение по мощности. Необходимо монтировать на данную микросхему пассивное охлаждение в виде, типа радиатор. Данный транзистор можно использовать.
Рассчитаем параметры транзисторов при данных напряжениях и токах :


![]()

Верхняя граничная частота транзистора


Сопротивления Сб'к для каждого транзистора:


Rг сопротивление эквивалентного генератора

C0 - суммарная ёмкость нагрузки
![]()
Пк3 - максимально достижимая площадь усиления, выходного каскада:


Для оценки максимально достижимого коэффициента усиления наедем сопротивление нагрузки с учетом входного сопротивления следующего каскада.

Нестабильность транзистора при изменений температуры:
![]()
![]()
Для обеспечения стабильности коэффициента усиления введем обратную связь
Выбираем максимальную по
модулю нестабильность: ![]()


Rвх1.тр3 - сопротивление транзистора с учётом обратной связи

Rэ.ос3 - сопротивление эмиттерной обратной связи

Для обеспечения необходимого сопротивления эмиттерной противосвязи, зашунтируем R5 - сопротивление микросхемы DA1.3, сопротивлением R5=Rдоп.к3

Постоянная времени каскада выходного каскада:

Раcсчитаем корректирующую емкость выходного каскада с эмиттерной противосвязью.
Постоянная времени данного транзистора составит:

Постоянная времени корректированного звена:


Оптимальный коэффициент коррекции:

Величина корректирующей емкости C10=Cэ3.к:

Расcчитаем элементы, определяющие параметры усилителя в области низких частот, блокировочной и разделительных ёмкостей:
Постоянная времени каскада усилителя на низких частотах:

коэффициент для постоянной времени выходной разделительной емкости α1=1
коэффициент для постоянной времени блокировочной эмиттерной емкости α2=0.4
коэффициент для постоянной времени входной разделительной емкости α3=1.5
постоянная времени выходной разделительной емкости:

![]()
Разделительная емкость между выходным каскадом и нагрузкой, С9=Ср.вых:

постоянная времени блокировочной эмиттерной емкости:
![]()

Эмиттерная блокировочная емкость, С8=Сэ.б:

Постоянная времени входной разделительной емкости:
![]()

Разделительная
емкость между промежуточным и выходным каскадом, С6=Ср.вых: 
Расчет коэффициента передачи:
На нижних частотах:

Коэффициент передачи на нижней граничной частоте для выходного каскада:
![]()
Коэффициент частотных искажений на нижней граничной частоте
для выходного каскада: 
На верхних частотах: ![]()

Коэффициент передачи на верхней граничной частоте для выходного каскада:
![]()
Коэффициент частотных искажений на верхней граничной
частоте для выходного каскада: 
Расчет промежуточного каскада
Параметры транзистора те же, что и в выходном каскаде поэтому их можно не рассчитывать. Rk номинальное и поэтому придется пересчитать допустимые параметры.
![]()

Напряжение питание:
![]()
![]()
Сопротивление нагрузки с учетом входного сопротивления следующего каскада:

Напряжения коллектор-эмиттер транзисторов
![]()
![]()
Проверка допустимой мощности рассеяния :



Есть не большое превышение по мощности. Необходимо монтировать на данную микросхему пассивное охлаждение в виде, типа радиатор.
Сопротивление генератора:

![]()
Максимально достижимая площадь усиления промежуточного каскада:


Сопротивление транзистора с учётом обратной связи:


Для обеспечения необходимого сопротивления эмиттерной противосвязи, зашунтируем сопротивление R6 - микросхемы DA1.2, сопротивлением R3=Rдоп.к2

Нестабильность усиления:

Расcчитаем корректирующую емкость промежуточного каскада с эмиттерной противосвязью:
Постоянная времени каскада:

Постоянная времени корректируемого каскада:


Оптимальный коэффициент коррекции:

Величина корректирующей емкости, С7=Сэ2.к:

Расcчитаем элементы, определяющие параметры усилителя в области низких частот, блокировочной и разделительной ёмкости:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.