fвi необходимая верхняя граничная частота каскада:
Пi необходимая площадь усиления каскада:
Расчет выходного каскада
Такая площадь усиления может быть обеспечена с помощью усилительной секцией ОЭ-ОБ с применением коррекции эмиттерной противосвязью. И учитывая невысокое выходное напряжение при высокой нагрузке. Возможно применение микросхемы типа К265УВ6.
При работе на высокоомную нагрузку, прежде всего, определим максимально возможное сопротивление нагрузки:
Определим максимально допустимое сопротивление нагрузки
Минимально допустимое сопротивление нагрузки
Выберем коллекторное сопротивление в пределах 1023 ÷ 1274 Ом :
Необходимо к выводу-10 микросхемы выходного каскада. Подключим добавочное сопротивление для обеспечения данного Rk.
Rk =R7+R8=470+200=670 Ом; R4=1200-670=530 Ом
Определим минимальное допустимое питание:
Ближайшие типовое питание, будет 9 В,
Остаточное напряжение на коллекторе:
Смещение на эмиттере:
Сопротивление нагрузки выходного каскада:
-величина коллекторного тока
Параметры биполярного транзистора КТ331Б
Сопротивление базового делителя :
Суммарное сопротивление в эмиттере : Rэ.с=R2+R4+R5=620+100+84=804 Ом
Напряжение смещения:
Напряжение на базе:
Необходимое смещение на базе для кремниевого транзистора:
Iк1 и Iк2 коллекторные токи транзисторов:
Напряжения коллектор-эмиттер транзисторов:
Проверка допустимой мощности рассеяния :
Есть не большое превышение по мощности. Необходимо монтировать на данную микросхему пассивное охлаждение в виде, типа радиатор. Данный транзистор можно использовать.
Рассчитаем параметры транзисторов при данных напряжениях и токах :
Верхняя граничная частота транзистора
Сопротивления Сб'к для каждого транзистора:
Rг сопротивление эквивалентного генератора
C0 - суммарная ёмкость нагрузки
Пк3 - максимально достижимая площадь усиления, выходного каскада:
Для оценки максимально достижимого коэффициента усиления наедем сопротивление нагрузки с учетом входного сопротивления следующего каскада.
Нестабильность транзистора при изменений температуры:
Для обеспечения стабильности коэффициента усиления введем обратную связь
Выбираем максимальную по модулю нестабильность:
Rвх1.тр3 - сопротивление транзистора с учётом обратной связи
Rэ.ос3 - сопротивление эмиттерной обратной связи
Для обеспечения необходимого сопротивления эмиттерной противосвязи, зашунтируем R5 - сопротивление микросхемы DA1.3, сопротивлением R5=Rдоп.к3
Постоянная времени каскада выходного каскада:
Раcсчитаем корректирующую емкость выходного каскада с эмиттерной противосвязью.
Постоянная времени данного транзистора составит:
Постоянная времени корректированного звена:
Оптимальный коэффициент коррекции:
Величина корректирующей емкости C10=Cэ3.к:
Расcчитаем элементы, определяющие параметры усилителя в области низких частот, блокировочной и разделительных ёмкостей:
Постоянная времени каскада усилителя на низких частотах:
коэффициент для постоянной времени выходной разделительной емкости α1=1
коэффициент для постоянной времени блокировочной эмиттерной емкости α2=0.4
коэффициент для постоянной времени входной разделительной емкости α3=1.5
постоянная времени выходной разделительной емкости:
Разделительная емкость между выходным каскадом и нагрузкой, С9=Ср.вых:
постоянная времени блокировочной эмиттерной емкости:
Эмиттерная блокировочная емкость, С8=Сэ.б:
Постоянная времени входной разделительной емкости:
Разделительная емкость между промежуточным и выходным каскадом, С6=Ср.вых:
Расчет коэффициента передачи:
На нижних частотах:
Коэффициент передачи на нижней граничной частоте для выходного каскада:
Коэффициент частотных искажений на нижней граничной частоте для выходного каскада:
На верхних частотах:
Коэффициент передачи на верхней граничной частоте для выходного каскада:
Коэффициент частотных искажений на верхней граничной частоте для выходного каскада:
Расчет промежуточного каскада
Параметры транзистора те же, что и в выходном каскаде поэтому их можно не рассчитывать. Rk номинальное и поэтому придется пересчитать допустимые параметры.
Напряжение питание:
Сопротивление нагрузки с учетом входного сопротивления следующего каскада:
Напряжения коллектор-эмиттер транзисторов
Проверка допустимой мощности рассеяния :
Есть не большое превышение по мощности. Необходимо монтировать на данную микросхему пассивное охлаждение в виде, типа радиатор.
Сопротивление генератора:
Максимально достижимая площадь усиления промежуточного каскада:
Сопротивление транзистора с учётом обратной связи:
Для обеспечения необходимого сопротивления эмиттерной противосвязи, зашунтируем сопротивление R6 - микросхемы DA1.2, сопротивлением R3=Rдоп.к2
Нестабильность усиления:
Расcчитаем корректирующую емкость промежуточного каскада с эмиттерной противосвязью:
Постоянная времени каскада:
Постоянная времени корректируемого каскада:
Оптимальный коэффициент коррекции:
Величина корректирующей емкости, С7=Сэ2.к:
Расcчитаем элементы, определяющие параметры усилителя в области низких частот, блокировочной и разделительной ёмкости:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.