Разработка интегрального усилителя, страница 5

+0,777+0,405+0,452+6,75= 11,257 мм²

Площадь конденсатора определяется как S_C=C/C₀

где С₀ – удельная ёмкость, которая зависит от материала диэлектрика.

В курсовой работе будет использоваться  материал моноокись германия с удельной емкостью 100 пФ/мм².

S_c= 217*10^-12/100*10^-12 = 2,17 мм²

Площадь, занимаемая навесными элементами схемы, равна

S=S_VT1+S_VT2+S_VT3+S_VT4+S_VT5+S_VT6+S_VD1=2,25+2,25+2,25+0.49+0.49+0.49+4.84 = 13,06 мм²

Общая площадь, занимаемая пленочными резисторами, конденсатором и навесными элементами, равна   26,5  мм².

Учитывая площадь соединений, промежутки между элементами ИМС и расстояние от края подложки, следует увеличить суммарную площадь подложки в 4-5 раз, т. е. её площадь должна составить не менее 135 мм².  Из таблицы выбираем подложку с размерами 20х16 мм.

Таблица 8 - Рекомендуемые размеры подложек для гибридных ИМС.

Составляю топологический чертеж ИМС, размещая рассчитанные элементы на поле подложки.

Масштаб 1:100

5 Спецификация элементов

Выбранные резисторы –пленочные постоянные резисторы, а именно из номинального ряда Е12 (допустимое отклонение +/- 10%) 

Вывод

В данной курсовой работе разработан интегральный усилитель постоянного тока. В ходе курсового проектирования был произведен расчет элементов принципиальной схемы вместе с коэффициентом усиления. При разработке интегральной микросхемы был выполнен расчет АЧХ усилителя. В спецификации указаны наименования, типы и параметры элементов усилителя.

В результате расчетов:

Рассчитанные значения удовлетворяют заданным условиям.

Список литературы

1. Методические указания по выполнению курсовой работы «Разработка интегрального усилителя», Савиных В.Л., Б.Х. Левин. Новосибирск, 2015 г.

2. Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Маломощные транзисторы. Справочник.  В 4 т. Т.1 издание  второе, - М.: ИП Радио Софт 1999