Разработка интегрального усилителя, страница 2

Амплитуда входного напряжения эмиттерного повторителя составляет

Амплитуда входного тока эмиттерного повторителя составляет

Ток коллектора I_К_VT₅ источника тока VT5 (а так же ток эмиттера транзистора VT4)должен примерно на порядок превышать амплитуду тока базы ЭП.

Падение напряжения на резисторе R7 рекомендуется брать примерно 1/3 от напряжения питания U_П2

Напряжение коллектор-эмиттерVT5 возьмем:

Мощность рассеивания на коллекторе:

Выбираю транзистор, у которого Р_К_max>P_К_VT₂_C.

БП n-p-n т-ры	Р_К_max, мВт	U_КЭ_max,В	h_21Э	\|Н_21Э\|	f, МГц	Размер,мм
КТ359Б	15	15	100	3	100	0,7 х 0,7

Зная значение () и напряжение коллектор-эмиттер VT5

(), определим на плоскости выходных характеристик ток базы транзистора VT5 в рабочей точке.

Находим: I_Б_VT₅ =8 мкА

По выходным характеристикам определяется параметр:

По входным характеристикам определяю постоянное напряжение база-эмиттер транзистора VT5U_БЭ и h_11Э_VT₄≈h_11Э_VT₅. U_БЭ =0.66 В

Рассчитаем сопротивление резистораR6:

Нахожу

Коэффициент передачи схемы смещения уровня равен коэффициенту передачи эмиттерного повторителя на транзисторе VT4 умноженному на коэффициент передачи цепочки R_3С и R_{ВХ ЭП}.

Для того, чтобы использовать один делитель напряжения R4 и R5 для источников тока схемы смещения уровня и дифференциального каскада, беру напряжение на базе транзистора равным

Тогда напряжение на резисторе R7 будет равно

Входное сопротивление схемы смещения:

3.3 Расчет дифференциального каскада

В качестве дифференциальной пары транзисторов VT1 и VT2 следует брать сдвоенные транзисторы, U_КЭ_max которых больше 0,5 U_П1Парные транзисторы имеют минимальный разброс параметров,

Тип БТ	Р_К_max, мВт	U_КЭ_max, В	h_21Э	\| Н_21Э\|	f, МГц	Размер, мм
КТС398А-1	2∙30	10	150	10	100	1,5х1,5

Расчет ДК начнём с построения зависимости h_11Э =f(I_Б), используя для этого входные характеристики транзисторов VT1 и VT2.

Воспользуемся формулой

Затем, в соответствии с заданным значением входного сопротивления усилителя (2), определяю значение тока базы I_Б0Д (индекс (Д) означает, что данный параметр транзистора используется для дифференциального каскада).

По графику определям I_Б0Д:

Находим: I_К0Д = 1,3 мА

Проверим транзистор на допустимую мощность рассеивания. Для этого определяем – эта мощность получилась меньше Р_К_max, следовательно сдвоенный транзистор может быть использован в усилителе.