Терминология и классификация РЕА. Тенденция развития конструкций РЭА. Основные требования,предъявляемые к конструкциям РЭА, страница 6

Преимущества: 1не требует нагрева пластин что приводит к изменению параметров раннее сформиров слоев(за счет диффузионной разгонке) 2т к ионный пучек перпендикулярен к пластине размеры лигиров обл точно соответстует размеру окна в оксидноц маске 3 кол-во водяной примеси точно дозируется

Недостатки 1 при постоянной энергии невозможно получить глубоко залег переход с одновременными присутствием примесей на поверхности ,в связи с этим на практике используют 2 способа:-многоступенчатыйСтупенчатый процесс непрерыв и глубокое распределение примеси от поверхности до переходов,обеспечивается несколькими ступенями лигир при различных энергиях,причем 1-ый глубокий профиль обеспечив заданную глубину залегания р-н перехода,а последней из поверхности концентрацию  n 0

-комбинированной имплантации заколки с диффузией разгонки Имплантационная разгонка примесей при низкой энергии обеспеч необход дозу лигирования  и присутствие примесей на поверхности а дифуз разгонки заданную глубину залеганиям.Установка ионов имплантации представляет собой камеру вакуумн последовательности уплотненных вакуумной резинкой.Из источника примесь в газообразном виде попадает в разрядный блок ионизатор из которого отриц патенциал 20-25В ионы вытягив в магнитный сепаратор здесь происходит разделение траекторий моноэнергии поток ионов с расчетным н.В этом блоке с помощью системы электродов ионному пучку придается плоская ленточная форма и в следующем блоке ускорителе ионы разгоняются до необходим энергии.В рабочую камеру приходит плоский ленточный луч неподвижный в про-веОблуч пластины 5 несущая оксидную маску размещ по переферии контейнера 2 в несколько ярусов в процессе облучения пластин неподвижным ленточным лучом контейнер вращается и соверш возвратно-поступат движения.Пластины то набирают необходимую дозу лигирования между пластинами устанавлив датчики 3,при достижение необход дозы облучения в системах контр отключается ионный луч.Для выгрузки затвором 2 отсекают рабочую камеру от остального объема установки.,открыв рабочую камеру и выгружают пластины ,затем цикл повторяется

Вопрос 23. Общие сведения о гибридных микросхемах.

Способ позволяющий получать эл-ты  в толще кристалла    позволяет изготовлять дешевые и надежные ИМС. Недостатки:

1.  их пар-ры зависят от температуры.

2.  последов-е сопротивление конденсаторов большое.

3.  емкость диффузных конден-в зависит от прилож-го напряж-я.

В цифровых уст-ах работающих в ключевом режиме данные недостатки не мешают получить схемы значительно превос-ие по парам-м аналог-ые схемы выполненные на дискретных комп-ах. Но при констру-ии высокочастотных и др. устр-в возникают трудности. В таких случаях имея преимущества ИМС у к-ых пассивные эл-ты и проводники выпол-ны с применением пленок 0,1 – 2 мкм, а точность по толщине и хим-ая частота для тонких пленок м.б. достигнуты только при выращивании слоя из атомарного (молекул-го) потока. Такие условия можно создать в вакууме, либо при нагреве, испарении и конденсации материала – термическое вакуумное напыление (ТВН), либо при бомбардировке твердого образца (мишени) ионами инертного газа, распыление его в атомарный (молек-ый) поток и конденсации на пов-ти изд-ия – распыление ионной бомбар-ой.

ВОПРОС 24.  метод термического вакуумного напыления.

Упрощенная схема:(НА ОБРАТНОЙ СТОРОНЕ)

1 – вакуумный колпак;

2 – заслонка;

3 – трубопровод;

4 – иончатый нагреватель для подачи атмосф-го воздуха;

5 – нагреватель подложки;

6 – подложка держатель с подложкой;

7 – термопрокладка из вакуумной резины;

8 – испаритель с вещ-ом и нагревателем резистивным или электронно-лучевым.