Состав доку-ии гос стандарт :1)ЕСКД 2)ед система технолог документ 3)ед система программной докум 4)ед система технолог подготовки пра-ва ЕСТПП 5)ед система защиты изделий и материал от коррозии ,старения и био повреждения Классификация группы стандартов ЕСКД: ЕСКД .схемы.виды и типы.общие требования к выполнению имеют вид. ГОСТ 2,701-84,т е ГОСТ-категория нормативно технич документации 2-класс(станд ЕСКД),7-класифик-ая группа стандартов,01-порядковый номер стандартов в группе,84-код регистрации стандартов.Содержание стандарта в группе:0-общие положения,1-основные положения,2-класификация и обозначение изделий в конструк докум,3-общие правила выпол чертежей,4-правила выполн чертежей изделий в машиностроении и приборо,5-правила обращения к конструктор докум(учет ,хранения)6-правило выполнения ремонтных и эксплуатац документации,7-правила выполнения схем,8-правило вып документации строит горных дел,9-прочие стандарты.К основным графическим Констр докум относятся:-чертеж деталей,-сборочный чертеж,-чертеж общего вида,-теоретич чертеж(геом форма),-габаритный чертеж,-электромонтажный,-монтажный чертеж,-установочный чертеж,данные для установки изделия,-схема,составные части изделий в виде условных изображений и связи между ними.Спецификация-ведомость ссылочных документов,ведомость покупочных изделий,пояснит записка,расчеты,
11 Схема технологического процесса изготовления полупроводниковой ИМС.
ИМС изготавливаются методом технологического процесса имеет следующие технологические особенности:-эл-ты однотипные по способу изготавления обычно представляют собой полупроводниковые р-n стр-ры с несколькими областями различной конфигурацией примесей(тр-ры,диоды,ре-ты) или пленочные стр-ры из проводящих резисторов и диэлектрических пленок;.-одновремен в едином технологическом цикле изготавл большое кол-во функциональных узлов,каждый из которых может содержать до 10000 эл-ов-при создании функциональных узлов по сравнению традиц методами произв аппаратуры сокращ кол-во технологич операций;-размеры Эл-ов и соед между ними определ технологич возможность пределами обуславл уровнем современ технич оборудованием;-низконадежные соединения Эл-ов(вып с помощью пайки) и заменяются высоконадежн путем металлизации.Базовые технологии:1эпителиальные наращивание полуп материала на кремниевой подложке,2термическое счисление кремния для получения слоя кремния защищ пов-ть кристалла от внешней среды,3фотолитография-обеспечив требуем конфигурации пленок на поверхности подложек,4локальная диффузия-перенос прим атомов в огранич облати полупроводника,в настоящее время чаще используется ионная имплантация лигирующего ве-ва путем воздействия пучка ионов ускор внешним полем,5напыление тонких до 1мкм пленок проводящего резистивного и диэл материала6нанесение толстых более 1 мкм путем использования спец паст < их последующим выжиганием
12Изготовление монокристаллов полупроводникового материала
В основе полупр схемы монокристалл(кремний,германий)изготавлив как правило методом Чегеральского-путем вытягивания из раплава с помощью затра кристалла
13Полупроводниковые ИМС.Формирование топологического слоя.
Слои образуются с помощью однотипного повторяющегося цикла:1окисление поверхности оксида кремния ,2фотолитография с образованием оксидной маски 3внедрение в лигирующую примесь4 стравление окисла.Образуется изолирующий слой из оксида кремния,слой металлизации из алюминия,защитный слой
15фотолитография
На поверхность пластины наносят несколько капель спец ве-ва –фоторезистора,чувствительного и действующ ультрафиолета.Пластина с фоторезистором помещена на вращающих стол центрифуги.Фоторезистор размещается,образуя тонкую пленку,пластина просушивается образуется равномерная пленка,затемна пластину накладавается фотошаблон с опре-и рис фоторезистор через фотошаблон ультрафеолетм и пластину с фоторезистором подвергают спец обработке в результате которой фоторезистор удаление с уч-ка пов-ти,должна быть одобрена отдельным участником,пов-ти кристалла основан покрытием слоем фоторезистора,устойчивым к действию опр-х химически активных ве-в,на пов-ть кристалла наносится защитная маска.Эл-ты ИМС имеют минимальный размер порядка единиц и десяток микрометра,поэтому фотошаблоны должны иметь высокую точностьФото увелич в несколько раз назыв координаторграф,фотографируя оригинал и уменьшают
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.