Исследование транзисторных цепей. Экспериментальное исследование переходных процессов, происходящих в транзисторном ключе

Страницы работы

10 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет

Факультет Технической Кибернетики

Кафедра Автоматики и Вычислительной Техники

ОТЧЕТ

о лабораторной работе №4

                            «Исследование транзисторных цепей»____  _     _____              

                                                 Электроника__      ____________________  __

                                       Работу выполнил студент    2081/2   

группа           Ф.И.О.

Преподаватель      

подпись           Ф.И.О.

Санкт-Петербург

2006г.

  1. Цель работы.

Экспериментальное исследование переходных процессов, происходящих в транзисторном ключе.

  1. Чертеж схемы исследуемого устройства ( рис. 2.1 ).


                                      

Рис. 2.1

  1. Исходные данные. ( 5 вариант )

Тип транзистора: МП-25, , напряжение смещения:

входное напряжение:, ток насыщения (ток коллектора):,

, Время импульса:, Коэффициент насыщения:

  1. Расчет элементов и параметров схемы.

1) , где  - из справочника.

2) Статического коэффициент усиления по току:  25.

3)

4) При граничной частоте транзистора, включённого по схеме с общей   базой, равной   вычисляем значение :

т.к.

5)

т.к.

6)

, где      , а

7) При наличии C:

т.к.

     т.к.

tрасс= tбln=

  1. Примеры расчетов. Экспериментальные зависимости.

5.1) Измерить tф, tсп, tрасс при отсутствии форсирующей емкости.              

tрасс = 1,3 мкс

tф = 4,6 мкс

tсп = 11 мкс

          5.2) Зависимость параметров переходного процесса от продолжительности импульса (tимп). ( табл. 5.1, рис. 5.1 )

Таблица 5.1

tимп, мкс

tф, мкс

tсп, мкс

tрасс, мкс

4

3,8

8

0

5

5,0

9,2

0

6

5,2

9,2

0,2

7

5,2

9,3

0,5

8

5,2

9,4

0,6

9

5,6

10

1,4

10

4,6

7,8

1,3

15

5

2,5

1,25

20

5

2,5

1,25

25

5

2,5

1,25

5.3)Зависимость параметров переходного процесса от Iб1.

Величину менять, устанавливая ряд значений R, имеющихся на стенде.

( табл. 5.2, рис. 5.2 )

Iб1=Eвх/(Rc+R) – (Eсм/Rб)

Таблица 5.2

R, Ом

Iб1, мА

tф, мкс

tсп, мкс

tрасс, мкс

680

0,95

1,0

2,0

1,0

762

0,68

2,8

2,2

1,1

1000

0,00

4,6

7,8

1,3

1082

-0,20

7,2

2,4

1,0

1125

-0,29

9,6

2,4

0,2

1155

-0,36

9,6

1,6

0

1680

-1,27

9,8

0,4

0

2000

-1,67

10

0,1

0

5.4) Зависимость параметров переходного процесса от Iб2.

Величину менять, регулируя Rб.

( табл. 5.3, рис. 5.3 )

Iб2=Есм/Rб

Таблица 5.3

Rб, Ом

Iб2, мА

tф, мкс

tсп, мкс

tрасс, мкс

680

7,35

9,8

0,8

0

762

6,56

9,6

1,2

0

1000

5,00

4,6

7,8

1,3

1082

4,62

4,4

2,4

0,8

1125

4,44

4,6

2,4

0,8

1155

4,33

4,5

2,4

0,8

1680

2,98

2,8

2,8

1,6

2000

2,50

2,6

3,0

2,0

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
518 Kb
Скачали:
0