Максимально допустимые параметры транзистора ГТ810А при температуре корпуса. Постоянное напряжение коллектор - эмиттер

Максимально допустимые параметры транзистора ГТ810А при температуре корпуса

T_K = -55…+55°C

I_{K MАХ} - постоянный ток коллектора, I_{K MАХ} = 10 А;

U_{K MАХ} - постоянное напряжение коллектор - эмиттер, U_{K MАХ} ⁼ 200 В. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Р_{K MАХ} = 16 Вт.

Для транзисторов усилителя (VТ3…VТ6)  

U_K=ЗООВ.

Rн=80 0м.                                                                  

Согласно исходным данным и расчету выбираем четыре транзистора типа КТ809Б. Максимально допустимые параметры транзистора КТ805Б при температуре корпуса

Тк = -60...+125°С

I_KMАX - постоянный ток коллектора, 1д МАХ ~ 8 А;

U_{КЭ мах} - постоянное напряжение коллектор – эмиттер, U_{КЭ MAX} ⁼⁼ 400 В. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Р_{к мах} = 40 Вт.