Электроника (часть I), программа, методические указания и контрольные задания, страница 8

14. Объясните распределение концентраций носителей заря­да вблизи           и в р-n-переходе.

15. Какими параметрами характеризуются р-n-переходы при прямом         и обратном смещениях?

16. У каких диодов - германиевых или кремниевых – тепловой ток больше и почему?

17. Назовите типы пробоя р-n-перехода и объясните их ме­ханизм.

18. В чем основное отличие зенеровского и лавинного пробоев? Какой вид электрического пробоя существует в диоде, если его пробивное напряжение равно соответственно 1, 10, 70 воль­там?

19. Как зависит пробивное напряжение от температуры (ТКН) при зенеровском и лавинном пробоях?

20. Какой пробой называется тепловым?

21. Объясните физический смысл диффузионной и барьерной емкостей р-n-перехода и приведите формулы для них.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Характеристики, параметры, эквивалентные схемы. Области применения. Особенности конструкции, применения и эксплуатации. Влияние температуры на статические характеристики и пара­метры.

Разновидности диодов. Выпрямительные диоды (германиевые, кремниевые, поликристаллические). Стабилитроны. Стабисторы.

Частотные свойства диодов. Переходные процессы в диодах. Диоды высокой и сверхвысокой частоты. Импульсные диоды. Диод с накоплением заряда (ДНЗ). Диод с барьером Шоттки (ДБШ). Меза-диоды, p-i-n-диоды. Варикапы. Обращенные и туннельные ди­оды. Двухбазовый диод.

Литература [1, с.97-140; 2, с.76-188; 3, с.56-93; 4, с.247-278].

Методические   указания

Изучение полупроводниковых диодов следует начать с изучения их конструкции и классификации [1, с.97-102; 3, с.56-57; 4, с.247-249]. Затем основное внимание надо уделить изучению физических про­цессов                  в реальных диодах [1, с.68-82; 3, с.52-55], вольтамперных характеристик [1, с.68-74; 3, с.57-60] и основных  параметров [1, с.67, 75-78; 3, с.60-62]. Изучите влияние температуры на вольтамперные характеристики [1, с.64-66; 3, с.59-60], рассмотрите механизм пробоя р-n-перехода [1, с.71-74; 3, с.62-65] и динамические свойства диода [1, с.110-112; 3, с.65-71], зависимостьосновных параметров и характеристик п/п диодов от режима работы, частоты и температуры.

Изучая специальные типы диодов: выпрямительные [1, с.102-110; 3, с.71-74], высоко-  и сверхвысокочастотные смесительные [1, с.113-115; 3, c.74-75], импульсные [1, с.116-121; 3, с.76-79], необходимо обратить внимание на электрические и эксплуатационные параметры, исходя              из конкрет­ного назначения прибора, так как это определяет особенности     требований к их конструкции и эксплуатации. Например, требования             к температурному режиму и способам его обеспечения для мощных диодов или своеобразные конструкции сверхвысокочастотных диодов, особенности работы полупроводниковых диодов в им­пульсном режиме и т.д.