Электроника (часть I), программа, методические указания и контрольные задания, страница 24

6. Все элементы схем вычерчивать в соответствии с ЕСКД.      

7. Ссылки на используемую литературу приводить в прямых скобках, например [ 2, с. 25-30].

8. Если работа не зачтена, то исправления решения задач или их новое решение выполнять на чистых листах, вложенных в незачтенную работу, или в новой тетради, подшитой к старой. Исправленные работы посылают на повторную рецензию. Не допускается делать исправления в тексте и на полях.

9. В конце работы привести список использованной литературы, поставить свою подпись и число.

Контрольное задание 1
Задача 1

Для полупроводникового диода плоскопараллельной конструк­ции          с короткой базой п-типа, толщина которой   WБ= 0, 025 см, заданы барьерная емкость и площадь перехода, отличающиеся по вариантам (табл. 2). Материал диода определяется по предпоследней  цифре зачетной книжки: для четной цифры и нуля рассчитывается германиевый диод; для нечетной - кремниевый. Основные параметры кремния и германия даны в табл. 3. Полагая р-n   переход резким, несимметричным, требуется рассчитать:

1.Параметры р-n перехода при отсутствии внешнего напряже­ния и при комнатной температуре (Т = 300 К):    

1.1 Контактную разность потенциалов jk.

1.2. Концентрацию примеси в базе диода  Nд.

1.3. Толщину р-n перехода    d .

2. Сопротивление базы   rБ'.

3. Тепловой ток диода    Iо.

Построить вольтамперную характеристику диода при комнатной температуре.

Графически определить дифференциальное сопротивление диода при токах

I = 1; 30 мА.

Указания к решению

Для решения задачи 1 рекомендуется проработать [3, с.29-69; 4, с.180-262].

При выполнении п. 1.1 обратите внимание на зависимость барь­ерной емкости резкого р-n перехода от величины приложенного напряжения. График зависимости  1 /СБ2 =f(U) представляет со­бой прямую линию, отсекающую на оси абсцисс отрезок, равный по величине контактной разности потенциалов   jk. Для построения линии 1/СБ2=f(U) используйте два значения барьерной емкости, заданные в табл. 2.